This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] MSP430FR2533:辐射抗扰互电容传感器

Guru**** 655270 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR2533
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/583808/msp430fr2533-radiated-immunity-mutual-capacitance-sensors

部件号:MSP430FR2533

在Captivate技术指南中,规定了A类抗扰性,并预计在3 VRMS下使用相互电容按钮。

我们希望基于相互电容按钮制定一个解决方案,该解决方案必须在10VRMS下完全正常工作。

如果可以访问,是否有任何经验。

我们使用Captivate EVM进行了一些测试,并添加了一个地面平面,提高了抗辐射能力。

我希望有人能分享他们使相互电容更具抗扰性的经验,或者确认 使用相互电容按钮可以真正达到10VRMS抗扰性。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Tom,您好!

    我已请Captivate专家为您研究此问题。 他们很快就会回复。 感谢您的耐心等待。

    此致,
    Caleb Overbay
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Tom,您好!


    感谢您对MSP430FR2533器件进行评估。  首先,让我澄清一下您是测试传导抗扰性还是辐射抗扰性。  您在帖子中提到辐射抗扰性,但应力水平(3Vrms,10Vrms)是传导抗扰性应力水平规格。  传导抗扰性应力水平通常以RMS伏特为单位,而辐射抗扰性测试则以电场强度(每米伏特)为单位。  通常对于电容感应接口而言,通过测试的难度较大的是线路供电应用的传导抗扰性。  测试之间的区别是基于所测试的频率,因为在100kHz-10的MHz范围内,所需的天线会非常大-因此噪音通过其电源线直接耦合到被测试设备。  那么,更好的问题是您是通过耦合网络测试低于80 MHz的频率,还是通过天线测试高于80 MHz的频率?

    从传导抗扰性角度来看,3Vrms指南基于IEC 6.1万-4-6,噪声通过耦合去耦合网络直接耦合到MCU直流电源。  如果您拥有一个有助于阻止共模电流的高质量电源,则10Vrms是可以实现的。  直流和交流电源喷射点之间的性能差异可能非常显著。  除了电源,布局和电极设计等其他因素也会发挥作用。

    我建议您查看我们的EMC参考设计-其中有许多非常好的材料,以及许多详细的测试数据,这些数据说明了相互模式噪声抗扰性如何随不同的电源拓扑而变化。  如果您有任何问题,请告诉我,我很乐意回答。

    如果您是专门询问辐射辐射辐射而不是传导辐射,那么问题是该设计能否在较高频率范围内承受10 V/m的电场。  Captivate就其电荷传输机制的性质而言,看起来非常像低通滤波器。  电极阻抗与IO电容相结合,形成低通滤波器,可衰减更高频率的噪声。  此外,我们还具有可提高性能的跳频功能。  最终,为抗噪性而设计的PCB布局至关重要。  这是您提到的添加接地屏蔽非常重要的地方。  如果您查看上述参考设计,您会发现一个32按钮互电容布局,它利用实心接地平面进行屏蔽。  这增加了寄生电容,但显著提高了抗噪性。  此外,我们在每个RX和MCU附近的电路接地之间填充离散68pF电容器,以降低频率中的磁化率带。

    上述文档中讨论的传导抗扰性的许多原则也适用于辐射抗扰性。

    此致,
    沃尔特