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[参考译文] MSP430FR2675:2个有缺陷的 IC、在高产量产品上存在固有的低功耗问题泄漏

Guru**** 655270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1165117/msp430fr2675-2-defective-ic-with-intrinsic-low-power-issue-leakage-on-a-high-volume-product

器件型号:MSP430FR2675

在生产了超过500k 器件的产品上出现此问题(没有明显的 MSP430问题)。

我们从生产中得到报告、某些器件(我们目前正在获取确切的数字)存在低功耗问题(未进行软件修改)。 到目前为止,已分析了2个具有此问题的 IC:

第一个 IC
在使用任何 CapTIvate 函数之前、一旦启用 CapTIvate 块(使用 MAP_CAPT_POWEROn()函数)、泄漏就会立即开始。
这会产生127µA μ m 泄漏。 在不受影响的器件上、启用 CapTIvate 块时不能测量电流(0.1µA μ A 灵敏度)

供参考:库版本
//! 版本1.80.00.30
//! 2019年3月26日发布
在反汇编时进行检查、此 MAP_CAPT_POWEROn()函数仅设置寄存器0xA00的位0
IC 标记:
MSP430 FR2675 TI238A ANXT G4

第二个 IC
它在152µA 0.7µA μ A 的功耗范围内(在任何其他良好的 IC 上)、使用最少的代码进行了测试。
最小初始化(将 I/O 设置为所有 I/O 下拉)以低功耗结束:
CAPIE=0;
while (1){
__no_operation();
PMMCTL0 = 0xA500;
_bis_SR_register (LPM4_BITS);

//结束背景循环
MSP 提取并安装在具有以下特性的电线上:
32:DVCC - 3.3V PSU
31/33:DVSS - GND PSU
20:VREG - 1µF Ω、带 GND (直接在焊盘上)
1:RST -至3.3V
2:TEST -至 GND
参考"良好"MSP is0.7µA

该坏 IC 为152µA μ A。 IC 标记:MSP430 FR2675 TI248A AFQC G4

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    您好!

    您能否检查 VREG 引脚上的电压? 典型值应为1.55V、最小值为1.5V、最大值为1.6V。  

    如果 VREG 不在该范围内、则表明内部 LDO 在某种程度上损坏、可能会导致功耗问题。  

    此致、

    现金 Hao

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    在第一个 IC (ANXT)上、我得到了1.32V (超出规格)
    在第二个 IC (AFQC)上、我得到了1.55V
    在"良好" IC 上 、我得到了1.55V 电压

    我在我们的工厂中申请了10个受影响的 IC。 我将在收到和分析后通知您

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    好的。 等待其余部分的结果。