MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）(Read Only) - 最近的话题

[参考译文] MSP430G2955：USCI 模块处于从模式

admin — Wed, 25 Feb 2026 09:15:06 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSP430G2955

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器件型号： MSP430G2955

大家好！

我有 msp430g2955、我实现了像 I2C 从模式那样运行的固件、所有功能都运行良好、例如寄存器集和正常运行。

我在长期运行时遇到的唯一问题是、在访问此从站时、我注意到 msp430g2955 将 SDA 线设为低电平。那么、USCI 模块是否有任何限制、我们可以让它将 SDA 线拉至低电平、其次是我可以如何检测到这种情况。

我不能检查 UCBBUSY 的状况,因为我是奴隶,主人可能在呼叫我,所以我不确定是否真的使用它。

如果我们在此处有一些解决方法或解决方案、请帮助我。

[参考译文] MSP430FG479：MSP430FG479：4.7uF LCDCAP 外部电容器的允许容差

admin — Wed, 25 Feb 2026 02:27:43 GMT

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器件型号： MSP430FG479

尊敬的 TI 团队：

我对 MSP430CAP 引脚的外部电容有疑问。

数据表指定的 LCDCAP 最小值为 4.7uF、因此我目前计划在我们的设计中实现 4.7uF 电容器。

您能否说明一下此电容器的最大允许容差 (%) 是多少？目前、我正在考虑使用容差为±20%的 4.7uF 电容器。这是否可以接受？

我的问题是、即使由于此±20%容差（以及可能的直流偏置特性）、实际电容降至 4.7uF 以下、LCD 电荷泵是否仍然可以正常稳定地运行。

如有任何建议或建议、将不胜感激。

此致、

[参考译文] MSPM0G3507-Q1：MSPM0G3507 比较器在高触发速率下卡在高电平

admin — Wed, 25 Feb 2026 00:14:27 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3507

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器件型号： MSPM0G3507-Q1
Thread 中讨论的其他器件： MSPM0G3507

我使用 MSPM0G3507 比较器触发单次 ADC 转换。系统详细信息：

COMP 迟滞设置：~10mV

触发速率估计：>100kHz

ADC 模式：单次、比较器应由上升沿触发

CPU 时钟：80MHz

观察到的行为：
当比较器 DAC 阈值~9mV 且触发速率变为高电平时、比较器输出似乎持续保持高电平、并且边沿触发的中断发生停止。因此、尽管模拟信号仍然存在、但 ADC 采集将停止触发。

问题：

如何使比较器（或中断）为下一个事件做好准备、即使在高计数速率下也是如此？

MSPM0 比较器边沿中断逻辑是否需要完全从高电平到低电平的转换来重新启动、并且是否有任何内部滤波/锁存可以以高速率抑制边沿？

处理高速触发的推荐架构是什么？可能是死区时间门控？

请提供任何指导。

此致、

Daniel

[参考译文] CAPTIVATE-PHONE：关于用于检测软管 (Q1–Q5) 中短气泡的 CapTIvate 互电极布局的说明

admin — Tue, 24 Feb 2026 11:48:05 GMT

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部件号： CAPTIVATE-PHONE

尊敬的 Bill：

我正在重新发布以下主题、因为我在尝试回复时收到错误。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1617474/captivate-phone-clarification-on-captivate-mutual-cap-electrode-layout-for-detecting-short-air-bubbles-in-a-soft-tube-q1-q5

这是上述的延续。感谢您对 Q3-Q5 的澄清。

我们还有一些需要确认的要点、以便向客户提供正式的答案。

我们客户的开发计划即将到来、因此我们非常感谢您尽早做出答复（即使是简短的回答也非常有用）。

您能否确认以下几点？

对于“每个电极覆盖管的~1/4 “、“1/4"的“的确切含义是什么？

-管周长（缠绕角度）,直径,还是轴向长度?

-哪个电极尺寸应该是~1/4？

在实验照片/示例中、GND 电极是如何连接的？

-直接到系统 GND?

-或分配给一个 CAP 引脚?

您能否阐明照片中的 TX/RX / GND 映射？

-哪种铜箔是 TX、RX 和 GND ?

-它们如何对应于原理图中的 CAP 引脚?

横截面草图只是一个概念工程图、还是与实际的照片布局匹配？

-在真实的设置中, RX 和 GND 是否比草图中显示的更加分开?
对于这种气泡检测用例、GND 电极通常应连接到系统 GND (VSS) 是正确的吗？

谢谢、

Conor

[参考译文] MSPM0C1104：LaunchPad LP-MSPM0C1104 上的 I2C 通信问题

admin — Tue, 24 Feb 2026 09:10:58 GMT

Other Parts Discussed in Thread: LP-MSPM0C1104

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器件型号： MSPM0C1104

您好：

我正在努力在 LP-MSPM0C1104 修订版 B 上实现 I2C
我已经测试引脚是否连接到了跳线连接的引脚。跳线 J8 和 J6 接通、选择 PA0 和 PA11 的上拉电阻为 3.3V。
其他连接的跳线：所有 J10x、J7、J9。

我的代码基于一个示例应用。

在跳线上测量时得到第一幅图像、在输出引脚上测量时得到第二幅图像。

任何解决方案或想法为何会发生这种情况？

#define I2C_TX_MAX_PACKET_SIZE (8)  /* Maximum size of TX packet */
#define I2C_TX_PACKET_SIZE (8)      /* Number of bytes to send to target device */
#define I2C_RX_MAX_PACKET_SIZE (8)  /* Maximum size of RX packet */
#define I2C_RX_PACKET_SIZE (8)      /* Number of bytes to received from target */
#define I2C_TARGET_ADDRESS (0x4C)    /* I2C Target address */

uint8_t gTxPacket[I2C_TX_MAX_PACKET_SIZE] = {0x00, 0x01, 0x02, 0x03, 0x04,
    0x05, 0x06, 0x07/* , 0x08, 0x09, 0x0A, 0x0B, 0x0C, 0x0D, 0x0E, 0x0F */};
uint32_t gTxLen, gTxCount;
uint8_t gRxPacket[I2C_RX_MAX_PACKET_SIZE];
uint32_t gRxLen, gRxCount;

int main (void)
{
    SYSCFG_DL_init();

    NVIC_EnableIRQ(I2C_0_INST_INT_IRQN);
    DL_SYSCTL_disableSleepOnExit();
    
    gI2cControllerStatus = I2C_STATUS_IDLE;

    gTxLen = I2C_TX_PACKET_SIZE;
    /*
     * Fill the FIFO
     *  The FIFO is 8-bytes deep, and this function will return number
     *  of bytes written to FIFO */
    gTxCount = DL_I2C_fillControllerTXFIFO(I2C_0_INST, &gTxPacket[0], gTxLen);
    /* Enable TXFIFO trigger interrupt if there are more bytes to send */
    if (gTxCount < gTxLen) {
        DL_I2C_enableInterrupt(
            I2C_0_INST, DL_I2C_INTERRUPT_CONTROLLER_TXFIFO_TRIGGER);
    } else {
        DL_I2C_disableInterrupt(
            I2C_0_INST, DL_I2C_INTERRUPT_CONTROLLER_TXFIFO_TRIGGER);
    }

    /*
     * Send the packet to the controller.
     * This function will send Start + Stop automatically.
     */
    gI2cControllerStatus = I2C_STATUS_TX_STARTED;
    while (!(
        DL_I2C_getControllerStatus(I2C_0_INST) & DL_I2C_CONTROLLER_STATUS_IDLE))
        ;
    DL_I2C_startControllerTransfer(
        I2C_0_INST, I2C_TARGET_ADDRESS, DL_I2C_CONTROLLER_DIRECTION_TX, gTxLen);

    /* Wait until the Controller sends all bytes */
    while ((gI2cControllerStatus != I2C_STATUS_TX_COMPLETE) &&
           (gI2cControllerStatus != I2C_STATUS_ERROR)) {
        __WFE();
    }

    while (DL_I2C_getControllerStatus(I2C_0_INST) &
           DL_I2C_CONTROLLER_STATUS_BUSY_BUS)
        ;

    /* Trap if there was an error */
    if (DL_I2C_getControllerStatus(I2C_0_INST) &
        DL_I2C_CONTROLLER_STATUS_ERROR) {
        /* LED will remain high if there is an error */
        __BKPT(0);
    }

    while (!(
        DL_I2C_getControllerStatus(I2C_0_INST) & DL_I2C_CONTROLLER_STATUS_IDLE))
        ;

    /* Add delay between transfers */
    delay_cycles(1000);

    /* Send a read request to Target */
    gRxLen               = I2C_RX_PACKET_SIZE;
    gRxCount             = 0;
    gI2cControllerStatus = I2C_STATUS_RX_STARTED;
    DL_I2C_startControllerTransfer(
        I2C_0_INST, I2C_TARGET_ADDRESS, DL_I2C_CONTROLLER_DIRECTION_RX, gRxLen);

    /* Wait for all bytes to be received in interrupt */
    while (gI2cControllerStatus != I2C_STATUS_RX_COMPLETE) {
        __WFE();
    }

    while (DL_I2C_getControllerStatus(I2C_0_INST) &
           DL_I2C_CONTROLLER_STATUS_BUSY_BUS)
        ;

    /* If write and read were successful, toggle LED */
    while (1) {
        delay_cycles(16000000);
    }
}

此致、

右侧

[参考译文] MSP430G2553：MSP430G2553 JTAG 安全保险丝熔断 — 如何批量擦除和重新编程？

admin — Mon, 23 Feb 2026 14:40:20 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSP430G2553, C-GANG, MSP-FET

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器件型号： MSP430G2553
主题中讨论的其他器件： C-GANG、 MSP-FET

您好：

我有一批 MSP430G2553 器件、用于将 JTAG 安全保险丝熔断。我需要使用新固件对其进行批量擦除和重新编程。

我的问题是：
1.推荐使用什么方法来批量擦除和重新编程 JTAG 熔丝 MSP430G2553？
2、建议大规模使用哪些工具和硬件（大量设备）?
3、批量擦除后、信息 A（出厂 DCO 校准数据）是否保留或丢失？如果丢失、如何恢复？

非常希望提供任何有关应用手册的指导或参考。

谢谢你。

[参考译文] MSP430FR2153：两个 TI MCU 之间的 UART 通信：MSP430FR2153 和 AMP；MSP430FR6043

admin — Mon, 23 Feb 2026 08:28:21 GMT

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器件型号： MSP430FR2153

大家好：

这是以斯拉。我目前正在处理一个需要大量闪存和 RAM（大于 64KB 的 FRAM 和大于 8KB 的 RAM）的项目。为了解决这一问题、我将工作分为两个 MCU：64KB FR6043 和 16KB FR2153。

现在、我不确定如何在它们之间建立通信。我的第一种选择是使用 UART 通信、因为它是异步的、不会对控制器施加任何负载。我不喜欢使用 SPI 或 I2C、因为两个 MCU 都需要作为主器件和从器件运行、这会使设置复杂化。

如有任何有关此方面的软件指南或应用手册、我将不胜感激。

谢谢！

[参考译文] MSP430F6779A：MSP430 复位和损坏问题

admin — Mon, 23 Feb 2026 07:41:24 GMT

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部件号： MSP430F6779A

我们在 EVSE 设计中使用 MSP430F6779AIPZ 设计。每当我们使用万用表或示波器探测任何引脚时、控制器有时会复位、当我们探测复位信号时、波形如下所示。

有时控制器也会损坏、我不确定这可能是原因。如果需要更多详细信息、请告知我。

[参考译文] MSPM0G3519：如何在 CCS 中锁定或修复 SDK 版本

admin — Mon, 23 Feb 2026 05:03:47 GMT

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器件型号： MSPM0G3519

如何在 Code Composer Studio (CCS) 中修复 SDK 版本？目前、它会自动更改或提示切换到较新的版本。“

[参考译文] MSPM0-SDK：大学课程

admin — Sat, 21 Feb 2026 02:47:51 GMT

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器件型号： MSPM0-SDK

我正在寻找关于微控制器的大学课程的材料。对书籍或材料有何建议？

[参考译文] CAPTIVATE-PHONE：关于用于检测软管 (Q1–Q5) 中短气泡的 CapTIvate 互电极布局的说明

admin — Thu, 19 Feb 2026 07:40:16 GMT

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部件号： CAPTIVATE-PHONE

您好、

我没有收到以下问题的答案。
周先生,谁最初帮助我们,似乎是在度假,没有回答,所以我需要尽快与你的团队.

谢谢、

Conor

[参考译文] MSP-EXP432E401Y：无法编程、器件返回错误

admin — Wed, 18 Feb 2026 19:07:00 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSP-EXP432E401Y, UNIFLASH

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器件型号： MSP-EXP432E401Y
Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH

大家好、我有一个用于开发的 MSP-EXP432E401Y 修订版 1.0。设备工作正常、直到最近它决定在尝试对设备进行编程时继续返回大量错误。

XDS110 正确显示在 Windows 11 设备管理器中。它处于标准运行模式、运行固件版本为 3.0.0.41。

以下是我看到的错误：

【错误】Cortex-M4_0：连接到目标时出错：（错误–614 @ 0x0）目标指示先前的 SWD 请求存在错误条件。清除错误条件、然后再次尝试 SWD 请求。（仿真包 20.4.0.3835）

【错误】Cortex_M4_0：连接到目标时出错：（错误–1274 @ 0x0）连接序列期间遇到错误。具体原因未知、但可能是尝试访问由于断电、时钟或身份验证（即安全正在阻止）而无法访问的内核或逻辑的结果。如果被安全阻止、并且如果支持、则在执行身份验证过程后可以允许访问。（仿真包 20.4.0.3835）

【错误】Cortex_M4_0：连接到目标时出错：（错误–613 @ 0x0）目标指示自身繁忙。再次尝试 SWD 请求、或中止事务。（仿真包 20.4.0.3835）

我尝试了多台计算机并重新安装 Code Composer Studio 和 Uniflash、问题似乎与电路板有关。我已经尝试使用它来对外部器件进行编程、但随后返回错误–615、其中它无法正确检测 SWD 标头。

[参考译文] MSP430FR2676：i'；m 使用 UCB0 作为 SPI、使用 USB1 作为 I2C 时遇到问题。

admin — Wed, 18 Feb 2026 11:08:50 GMT

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器件型号： MSP430FR2676

设置 1) eUSCI_B0→SPI SCLK = P5.5、SIMO = P4.6、SOMI = P4.5 eUSCI_B1→I2C SDA = P3.2、SCL = P3.6

1) 设置 2) eUSCI_B0→SPI SCLK = P5.5、SIMO = P4.6、SOMI = P4.5 eUSCI_B1→I2C SDA = P4.4、SCL = P4.3

I2C 器件使用设置 1、但不使用设置 2。这种模式是错误的吗？

设置 1) P3SEL0 || 0x44；P3SEL1 &&~0x44；

设置 2) P4SEL0 || 0x18；P4SEL1 &&~0x18；

主要区别在于上面显示的源代码。 I2C 从器件是相同的、只是 CPU 连接不同。

[参考译文] MSP430FR2355：寻求针对定制微控制器开发的支持

admin — Wed, 18 Feb 2026 09:18:51 GMT

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器件型号： MSP430FR2355

您好、

您能给我安排合适的联系人、他们可以为我们的 MSP430FRxx 平台上的定制微控制器开发提供支持。

此致

Antriksh Tyagi

[参考译文] MSPM0C1103：MSP-ZERO-CODE-STUDIO

admin — Tue, 17 Feb 2026 13:24:11 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSP-ZERO-CODE-STUDIO

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器件型号： MSPM0C1103
主题中讨论的其他器件：MSP-ZERO-CODE-STUDIO

MSP-ZERO-CODE-STUDIO 仅适用于 Windows。 TI 是否将提供适用于 Linux 的可执行文件？

[参考译文] MSPM0L1305：引导加载程序查询

admin — Tue, 17 Feb 2026 09:54:31 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1305

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部件号： MSPM0L1305

您好、

我正在使用 MSPM0L1305（‑μ F 引脚 WQFN 封装） 达到额定功率。

对于初始编程、我使用 I²C ROM 引导加载程序 (BSL_I2C) 。

在我的硬件中：

0 Ω 引脚 (SCL/SDA I²C) 使用中的路由
NRST 任何信号进行多路复用 SCL0 、因此我不能使用 NRST 作为专用的外部复位
。 BSL_invoke 引脚用于其他目的且不可用
对于空白 MCU、 I²C BSL 自动运行 ,这是好的

我的问题是：

将固件加载到 MSPM0L1305 后、我是否仍然可以完全通过软件（运行时 BSL 调用）调用 μ I²C 引导加载程序、而无需使用 NRST 或 BSL_invoke 引脚？

由于我在同一引脚上使用 SCL0 和 NRST、在调试和引导加载期间是否会出现任何问题？我应该更改什么？

正是这样、我使用的是的第 5 个引脚 MSPM0L1305SRTRR 作为 BSL_SCL 初始化来加载固件。然后、如果需要、它将用作 I2C_SCL0 来发送命令。同时它可以充当 NRST 吗?

[参考译文] LP-MSPM0G3507：LaunchPad 未连接

admin — Tue, 17 Feb 2026 01:59:31 GMT

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器件型号： LP-MSPM0G3507
Thread 中讨论的其他器件： MSPM0G3507

我正在尝试将 LaunchPad GUI 连接到 LP-MSPM0G3507。当 GUI 启动时、它似乎对 LaunchPad 进行编程（LED 闪烁）、但随后 GUI 会指示它正在等待数据。我已检查 USB 端口、它们可以在 9600 波特下运行。在开始学习教程之前、我想确保沟通是正确的。

谢谢

[参考译文] MSP430FR5969-SP：飞行遗产

admin — Mon, 16 Feb 2026 12:32:42 GMT

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器件型号： MSP430FR5969-SP

请就该器件提供以下信息：MSP430FR5969-SP。

SEU 抗扰度（我们在您的数据表中找到了 SEL 抗扰度、但找不到 SEU 的信息）
飞行遗产、此部件使用的特定程序。

[参考译文] CAPTIVATE-PHONE：关于用于检测软管 (Q1–Q5) 中短气泡的 CapTIvate 互电极布局的说明

admin — Mon, 16 Feb 2026 10:18:00 GMT

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部件号： CAPTIVATE-PHONE

您好、

我们正在查看以下 E2E 主题以及随附的“使用 CapTIvate 进行丸检测“材料。我们知道、当短气泡不可见时、电极布局/场成形往往比 IC 参数调优占据主导地位更大。我们想澄清以下几点 (Q1–Q5)、以便我们可以构建自己的简单铜箔/丙烯酸测试夹具、然后设计一个专用的电极 PCB。

参考资料：

E2E 主题： Captivate…软管内气泡…互电容法
附件：使用 captivate.pdf 进行药丸检测

问题 1： “每个电极覆盖管的~1/4 “的含义
在相互盖的“电极夹管“概念中、提到“每个电极应覆盖~1/4 的电极管“。
“1/4"指“指的是哪个管尺寸（例如周长/缠绕角度）、哪个电极尺寸应相应调整？
另外、“1/4"建议“建议（经验法则，分析，测试结果等）背后的原理是什么？

问题 2：实验中的“GND 电极“是如何连接的？
在照片+原理图中、电极看起来连接到不是 GND 引脚的电容器引脚（例如 CAP0.x）。在您的实验中、“GND 电极“的实际连接是如何的？

直接连接到系统 GND（不是传感器 IO）、或者
分配到其中一个 CAP 引脚并在固件/设置中配置/用作 GND 电极？
我们想确认确切的接线/配置。

问题 3 为什么将 GND 电极与横截面的 RX 相对/靠近放置？
横截面图显示了一个 GND 电极位于 RX 电极的对面/附近。
然而、电极设计指南通常建议避免电极下方布线/接地、以防止灵敏度损失。
在实验中放置该 GND 的意图是什么（例如场整形，降噪，稳定基线等）？

问题 4 照片和横截面图之间的精确映射
我们对照片与横截面的对应程度并不充满信心。

横截面是否按照黄色箭头方向绘制？
哪个板（顶部/底部）包含 TX/RX/GND、它们之间的间距如何？
如果可能、您能否对照片中的哪些铜箔对应于 TX/RX/GND？

问题 5. 为什么互电容检测中需要 GND 电极？
我们了解互电容主要测量 TX-RX 互电容变化。在该配置中添加 GND 电极的主要用途是什么？
此外、GND 电极通常应连接到系统 GND 是否正确？
（我们计划从仅 TX/RX 开始、然后添加 GND 电极并进行比较。）

谢谢、

Conor

[参考译文] MSPM0L1227：MSPM0L122x 双组示例

admin — Mon, 16 Feb 2026 09:06:50 GMT

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器件型号： MSPM0L1227

team、gpio_toggle_output.c

我正在使用 CSS 20.3.0、附加我的 SYSCFG 文件和测试代码以及此邮件。

根据我的理解、我想通读一些有关启用存储体交换和编写代码的可用文档。

配置完成：

Configuration NVM 中的“Enabled below 2“复选框

启用 CSC 策略	[x]
启用闪存存储体交换策略

更改了“项目“->"属性“属性“->"调试“调试“->"MSPM0 内存“ 内存设置“->"擦“擦除方法“中的擦除配置、选择“擦除 MAIN 和 NONMAIN 内存“。

代码中的函数流：

函数名称	说明/目的
DL_SYSCTL_enableFlashBankSwap ()	启用闪存存储体交换策略。
DL_SYSCTL_executeFromUpperFlashBank ()	根据配置的布尔值选择从上部闪存存储体执行。
DL_SYSCTL_executeFromLowerFlashBank ()	根据配置的布尔值选择从下部闪存存储体执行。
DL_SYSCTL_issueINITDONE ()	在完成所有存储体交换配置后发出 INITDONE 以复位器件。
DL_SYSCTL_isFlashBankSwapEnabled	检查是否启用闪存存储体交换。

约 10% SWAP_ENABLED = DL_SYSCTL_isFlashBankSwapEnabled () 存储体交换配置后、我就获得了 SWAP_ENABLED 始终为 false。配置/代码流中是否缺少任何内容？请确认我的方法是否正确。

[参考译文] MSP430F5342：MSP430F5342IRGZR：UART 电压等级

admin — Sat, 14 Feb 2026 12:21:08 GMT

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器件型号： MSP430F5342

您好团队

我使用 MSP430F5342IRGZR。对于 UART 接口、我已将信号电平转换为 1.8V。但当我尝试使用 1.8V UART 电缆访问时、会出现垃圾值。我已经附加了设计的快照。请求您验证它以及 MSP 是否支持此电平转换。

[参考译文] MSP430F1121A：ROSC 用于控制 DCO 的公式？

admin — Fri, 13 Feb 2026 09:23:10 GMT

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器件型号： MSP430F1121A

团队、

客户正在寻找一个公式来确定 ROSC 的尺寸。
ROSC 似乎对 DCO 的频率和温度漂移有影响、因此在试验之前、首先获得 ROSC 的特定理论值是有意义的。

我们可以分享一个公式吗？或者一些有关根据 ROSC 值选择的说明？

我在以下应用手册中找到了有关 MSP430 振荡器的内容、但没有关于 ROSC 与 DCO 的具体信息：
MSP430 LFXT1 振荡器精度 — https://www.ti.com/lit/pdf/slaa225
MSP430 32kHz 晶体振荡器 — https://www.ti.com/lit/pdf/SLAA322
-控制 MSP430F11x 的 DCO 频率 — https://www.ti.com/lit/pdf/SLAA074

（仅供参考 — MSP430x2xx（与 MSP430x1xx 相比）似乎具有工厂校准的 DCO、因此电压漂移和温度漂移最小、但这里的问题是关于 MSP430Fx1xx)。

提前感谢

Anthony

[参考译文] MSP430F2481：TPP 值

admin — Fri, 13 Feb 2026 09:22:39 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSP430F2481

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器件型号： MSP430F2481

您好、

我想确认 MSP430F2481 的 TPP（总体处理性能）。
此信息是日本出口条例所必需的。

如果你没有实际的这个值,似乎我可以计算 TPP,如果我有有关“TOPS(Tera optations per second ) 的信息.
但是、通常情况下、“TOPs"用于“用于 DSP 类型。那么、如果您知道我如何计算 MSP430 的“tops"，“，您、您能向我推荐吗？

此致、

[参考译文] TM4C123GH6PM：微控制器选择

admin — Thu, 12 Feb 2026 20:36:19 GMT

Other Parts Discussed in Thread: TM4C123GH6PM, TMS320F2806, MSPM0G5187

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器件型号： TM4C123GH6PM
主题中讨论的其他器件： TMS320F2806、 MSPM0G1507

目前正在尝试将手持仪表从 TMS320F2806 升级到 TM4C123GH6PM。

我们尝试改进的主要功能是安全特性、能够用作 USB OTG、并且能够控制显示器。

这个新芯片 TM4C123GH6PM 是需要使用的正确芯片、还是有更好的低功耗选项来满足这些基本要求？

[参考译文] MSPM0C1104：如何读取/写入主闪存

admin — Thu, 12 Feb 2026 15:25:52 GMT

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0C1104, MSPM0C1103

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器件型号： MSPM0C1104
主题： MSPM0C1103 中讨论的其他器件

根据技术参考手册第 310 页、应用程序可以使用 NVM 部分中的闪存。
www.ti.com/.../slau893c.pdf

根据 MSPM0C1103/MSPM0C1104 第 29 页的数据表、外设存储器区域中包括闪存子区域。我假设此区域与技术参考文献指定的闪存区域相同。

在 main 函数开始时、我运行以下代码、但无法从闪存中读取数据。失败状态返回 DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_INQUIL_ADDRESS。

    SYSCFG_DL_init();

    DL_FlashCTL_executeClearStatus(FLASHCTL);
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, (uint32_t) &device_config_persistent, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    DL_FlashCTL_readVerify32(FLASHCTL, (uint32_t) &device_config_persistent, (const uint32_t*) &device_config);
    DL_FlashCTL_waitForCmdDone(FLASHCTL);
    DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE failType = DL_FlashCTL_getFailureStatus(FLASHCTL);
   if (failType != DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_NO_FAILURE) {
       __BKPT(0);
   }

DEVICE_CONFIG 的类型恰好为 32B、DEVICE_CONFIG_PERSISTENT 的定义如下：

__attribute__((section(".device_config")))
ST_DEVICE_CONFIG device_config_persistent = 
{
    .setting1 = BL_SHORT_CYCLE,
    .setting1 = FALSE, 
    ...

}

如何读取持久性存储器区域的写入数据和写入数据？

此致

更新：

在取消保护操作之前和之后、保护寄存器保持不变。
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTA = 0xFFFF
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTB = 0x0000
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTC = 0x0000

原因是 sectorNumber 和 sectorInBank 等于 0x1000 (4096)。
此 API 显然并不用于写入该存储器部分。至少不在我的控制器上。

更新 2：

而是尝试将数据写入 8kB 代码闪存的最后一部分。
但在读取时我一直收到错误 0x20、DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_VERIFY_ERROR。不清楚原因。
通过 DL_FlashCTL_programMemory32、写入也不起作用、因为 ROM 数据不会更新。

MEMORY
{
    FLASH           (RX)  : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00001BFF
    SRAM            (RWX) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00000400
    DEVICE_CONFIG   (RW!x) : ORIGIN = 0x00001C00, LENGTH = 0x000001FF
    BCR_CONFIG      (R)   : ORIGIN = 0x41C00000, LENGTH = 0x000000FF
}