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[参考译文] TPS4811-Q1:输入电容和浪涌电流

Guru**** 2493545 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491393/tps4811-q1-input-capacitance-and-inrush-current

器件型号:TPS4811-Q1

工具与软件:

您好!

我们有一个具有1.5mF 输入电容的电路板。 我们将使用 TPS4811和 Vishay SQJQ184E MOSFET 来管理电路板的电源输入。  

标称电压为28V、过压阈值设置为33V。

当然、我们忘记了输入电容、在测试过压阈值时、MOSFET 工作正常、可关闭电源输入、但在测试恢复电平时、我们让32.5V 切换到1.5mF。 这可能是由于大浪涌电流导致 MOSFET 栅极和源极短路。  

目前、我们通过68kOhm 串联电阻将栅极上拉导通减慢至2ms。  

根据我的理解、最佳方法是首先在不影响电路其余部分性能的情况下尽可能降低输入电容。  

其次是调整栅极上拉时间。  

应该慢一点吗? 目标是20ms 至50ms 导通时间? 还是应该更快一些?  

预充电电路本来是理想的、但我们需要过压保护。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Martin:

    如果您的输入电源能够处理、FET SOA 看起来可能能够在没有压摆率控制的情况下处理开启问题。 否则、如果您在导通期间将浪涌限制在10A 以下、SOA 看起来很合适、根据数据表中的公式2、浪涌电流将为5ms。

    另一种可以尝试的方法是使用无栅极压摆率控制的 PWM INP。 这将限制 FET 看到的浪涌持续时间并提高其热性能。

    您是否认为以下任一项都适合您的应用?

    谢谢!

    Patrick

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Patrick、您好!

    感谢您的答复。 我们最终将开通时间减至超过5ms、从而使浪涌电流降低至10A 以下。 这使我们完全处于 SOA 范围内、并具有足够的裕度来处理因过压而关闭后的浪涌问题。

    感谢您的支持、

    Martin