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器件型号：LM5122 工具与软件：
大家好、团队成员：
我在这个 IC 上构建了一个32V 8A 升压电路、到目前为止效果非常好、除了 IC 本身好像在没有负载的情况下需要消耗功率(在50mA 周围)并发热(在25°C 的环境温度下可能高达32°C)、而温度是可忽略的、但我不认为 LM5122有那么多的静态电流？
我已阅读 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1041259/lm5122-high-quiscent-current-lm5122 这篇博文指出、在 未连接负载时、FET 损耗可能会导致电流消耗。 但是、低侧 FET 应该不应该比 IC 本身发热？
另一个问题是、在满载期间 、SW 电压可能激增至38V (由于过冲)、并且我的 MOSFET 额定电压为40V、但由于该 FET 用于电路板上的其他位置 、我真的不想仅为升压电路选择专用的60V MOSFET。 是否应该建议使用 RC 缓冲器来抑制过冲、以避免损坏 MOSFET 的保护性问题？
