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[参考译文] LM51231-Q1：如何选择低电平和高电平 MOSFET。

admin
Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51231-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495261/lm51231-q1-how-to-choose-the-low-and-high-mosfet

器件型号：LM51231-Q1

工具与软件：

您好！

我是 Sunny。

我想使用 LM51231-Q1设计24V ~48V 300W 升压电路。

选择低 MOSFET 和高 MOSFET 对我来说非常重要、因为功率非常高、两个 MOSFET 可能很热。

您能否帮助推荐在此设计中具有良好散热性能的 MOSFET 替代产品？  

我选择434khz 作为开关频率、但对于这个300W 应用来说、它看起来过高。 请一起推荐。

提前感谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sunny、

    LM5123的栅极驱动器专用于双 FET (两个低侧 FET 和两个高侧 FET)。
    这有助于将热耗散分布在整个 PCB 上。
    请参阅我们的 EVM： https://www.ti.com/lit/ug/snvu737a/snvu737a.pdf

    在 BOM 中、可以看到我们将在该 EVM 上使用 NTMFS5C670NLT1G FET。
    我们的客户也在使用 buk9y 系列的 FET。
    这些 FET 使用5x6mm 封装。
    对于该功率级别、请勿在3x3mm 封装中使用任何 FET、也不要在一个公共封装中使用双 FET。

    请注意、我无法评论 FET 的热特性。

    另一个能够耗散相当多热量的元件是电感器。
    请在饱和电流之外留出大量裕度、并选择高效/极低 DCR 的电感器以更大限度地降低损耗。

    要正确计算所需的外部组件、请使用快速入门计算器、您可以在此处下载该计算器：
    https://www.ti.com/tool/LM5123-Q1-DESIGNCALC

    该计算器还支持计算 FET 的损耗和整体效率。
    这证实了当开关频率降低时开关损耗更小。

    此致
    哈利

  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Harry

    感谢您的答复。

    我将根据基准计算 MOSFET 参数。