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[参考译文] UCC21551-Q1：有关 UCC21551-Q1的问题

admin
Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21551-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1

器件型号：UCC21551-Q1

工具与软件：

尊敬的 TI 专家：

我的客户考虑将 UCC21551CQDWKRQ1用于其新项目。

我的客户对它有一些疑问。 您能看看下面的问题吗？

1.关于 DT (死区时间)引脚

在红色区域中、不建议使用大于1nF 的陶瓷电容器绕过此引脚。

只插入合适的电阻器(不插入陶瓷电容器)是否可以？ 或者您是否有陶瓷电容器的建议值？

2.关于自举

2-1. 计算出的 Cboot 值示例为170uF。 在红色区域中、TI 选择具有裕度的1uF 电容器。 1uF 值约为170uF 的6倍。

可以多次飞动6次以获得最终的 Cboot 值吗？ 或者您是否建议其他倍增值？

如果可以6次、您是否有参考文档或公式？

2-2. △Ω VDDA 0.5V 是正确的值吗？ (在客户应用中、VDD 为15V。)

2-3. 在应用 IVDD 值时、可以应用蓝色区域中的值吗？

2-4. 关于自举电阻器、我只找到了下面的内容。 哪里可以对计算自举电阻的详细说明进行罚款？ 您是否有任何参考或应用手册？

3.关于计算栅极引脚的外部电阻

3-1. 在下面的示例中、可以在红色框中使用当前值吗？ 还是应该使用适合我的客户的不同价值？

3-2. 通过以下公式计算 Ron 和 ROFF 的值是 sre 不超过栅极输出电流的最小值。 但我认为我应该考虑开关损耗、EMI 和其他型号。

您是否有关于该参考设计的任何参考或应用手册？ (Ron 和 ROFF 值考虑开关损耗、EMI 等因素)

4.关于 RGS

在数据表中、RGS 的大小通常介于5.1k~20k Ω 之间、具体取决于功率器件的 Vth 和 CGD 与 Cgs 之比。

是否有任何用于计算 RGS 值的参考或应用手册？

5.关于外部专家咨询小组

在数据表中、是添加电容器 Cge 以防止 C*dV/dt 引起问题的选项之一。

您是否有任何用于计算蓝色框中的 Cge 值的参考或应用手册？

6.关于 INA/INB 输入滤波器

是否可以使用0~100欧姆之间的 RIN 值和0~100pF 之间的 CIN 值以及约100MHz 的转角频率？ 是否有其他建议或具体参考？

请检查这些问题。 谢谢。

此致、

蔡斯

  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Chase：

    感谢您回答详细的问题。

    Unknown 说：
    1. 关于 DT (死区时间)引脚[/QUOT]

    是的、只连接死区时间电阻器而没有电容器是可以的。 这里不会出现任何问题。

    Unknown 说：
    2. 关于引导[/报价]

    2-1.) 一般性声明是自举电容器应至少比 MOSFET 的栅极电容大10倍。

    2-2.) 0.5V 是指 VDDA 的纹波电压。 有关最小自举电容值的更详细计算、请参阅的公式3  3.1自举电容器  选择应用手册中的说明。

    2-3.) 有关包含电源静态电流的详细计算、请参阅应用手册中的相同部分。

    2-4.) 请参阅  3.4自举电阻器  选择应用手册中的说明。

    Unknown 说：
    3. 关于计算栅极引脚的外部电阻
    [/quote]

    3-1.) 应在公式中使用不同的值、以便更好地匹配客户的系统、例如 VDD = 15V、而不是示例中使用的20V。

    3-2.)  8.2.2.5估算栅极驱动器功率损耗 产品数据表中提供了静态(静态)和动态(开关)损耗的所有计算方法。 这些可用于更好地了解这些电阻值的功率损耗影响。

    Unknown 说：
    4. 关于 RGS[/报价]

    请参阅  3.5 dv/dt 保护 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路基本原理应用手册的说明：

    Unknown 说：
    5. 关于外部 CGE [/报价]

    以下是一个有用的参考资料、其中包含了来自同事的详细答复：

    Unknown 说：
    6. 关于 INA/INB 输入滤波器[/QUOT]

    这些电阻器和电容器值是建议的值、可适合大多数客户应用。 但是、应调整这些元件以更好地适应系统。 100MHz 转角频率是示例中51 Ω 和33pF RC 值的结果。  

    希望这能解决所有问题。

    此致、

    Hiroki

    [/quote]
    [/quote][/quote][/quote][/quote]
  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Hiroki：

    感谢您的大力支持。

    我的客户检查了您的答案并提出了其他一些问题。 您能找出这些问题吗？

    1.关于旁路电容器、您说无需电容器、但我的客户想添加旁路电容器。

    您是否能够推荐低于1nF 的旁路电容器值？

    2.关于自举、在数据表(不是文档 SLUA887A)中、1uF 值只是170nF 的6倍。

    多飞6次是否有任何原因？ (公式或任何其他参考)如何通过3或10飞？ 是不是?

    3.关于每通道电流消耗,我看到了下图;

    3-1. 可以得到 VDD = 15V、频率= 15KHz 的确切值吗？ 如果我有一个公式计算,它是最好的我。

    3-2. 您是否了解空载情况？ (图5-10是10nF 负载的条件。)

    4.关于 VDD 旁路电容器

    我在 SLUA887A 文档中找到了描述;

       

    即 CVDD ≥10 * Cboot。

    他们将 在一个 PCB 中使用3个 UCC21551-Q1、在一个 UCC21551-Q1中有2个 VDD 旁路电容器(位于 C35和 C137的位置)。

    总共并联了6个电容器。

    ->如果 Cboot 为4.7uF ,则  VDD 旁路电容的值为(4.7*10  )/ 6. =7.83uF、因此6个并联电容的和为47uF、是4.7uF 的10倍。

    它是正确的计算吗？ 或者我缺少什么吗？

    5.关于外部栅极电阻

    我喜欢下面的说明在文件 SLUA618A 和 SLLA385A ;

    5-1. 红色框中的说明表明、建议在计算外部栅极电阻值时从0欧姆电阻器开始。

    BU 我的客户担心器件会因较高的栅极充电电流而出现故障。 那么、您是否可以推荐使用电阻器值而不是0欧姆？ (外部栅极电阻的起始值。)

    5-2. 在图15中、我发现电容值取决于 Vce。 ->在计算 Ls 的公式(1)中、您能否检查 Ciss 值是否处于 VCE 条件下？ (即、当 VCE=10V 时、Eq (1)的 Ciss 值。)

    5.3.能否看一下 ROFF 和串联二极管值的计算公式？ 我无法找到 SLUA618A 和 SLLA385A 都无法提供的说明。

    6.关于 dv/dt 保护(计算 RGS)

    我在 SLUA618A 文档中找到了以下说明;

    正如我之前所说 、我发现电容值取决于 VCE。

    ->在公式(20)和(21)中、您是否可以检查  CGD 值是否处于 VCE 条件下？ (即 eq (20)的 CGD 值在 VCE=10V 的条件下。)

    7.关于自举电容器

    我在 SLUA887A 中找到了以下说明;

    如果使用上面的公式、如何设置 I_HBS 的值？ 我在数据表中找不到该值。

     

    8.最后、我的客户将使用 IGBT 与 UCC21551-Q1。 (不适用于普通 MOSFET、SiC MOSFET)它有什么问题吗？

    请检查这些问题。 谢谢。

    此致、

    蔡斯

  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Chase：

    我会研究这些问题、并在下周初作答。

    感谢您的耐心等待！

    此致、

    Hiroki

  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Chase：

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    1.关于旁路电容器、您说无需电容器、但我的客户想添加旁路电容器。

    您是否能够推荐低于1nF 的旁路电容器值？

    [报价]

    如果客户想在那里添加电容器、我建议使用1nF 电容器。 这是我通常向客户推荐的价值、没有任何问题。

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    2.关于自举、在数据表(不是文档 SLUA887A)中、1uF 值只是170nF 的6倍。

    多飞6次是否有任何原因？ (公式或任何其他参考)如何通过3或10飞？ 是不是?

    [报价]

    原因是要考虑不属于计算范围的外部因素、例如电容漂移或负载开关。 我会建议客户根据其对系统的期望自行判断该电容器的大小。  

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    3.关于每通道电流消耗,我看到了下图;

    3-1. 可以得到 VDD = 15V、频率= 15KHz 的确切值吗？ 如果我有一个公式计算,它是最好的我。

    3-2. 您是否了解空载情况？ (图5-10是10nF 负载的条件。)

    [报价]

    3-1.) 我没有此特定条件的确切值。 可以使用中的公式进行近似计算  8.2.2详细设计过程 应用和实现部分。

    3-2.) 图 5-8将具有无负载条件：

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    4.关于 VDD 旁路电容器

    我在 SLUA887A 文档中找到了描述;

       

    即 CVDD ≥10 * Cboot。

    他们将 在一个 PCB 中使用3个 UCC21551-Q1、在一个 UCC21551-Q1中有2个 VDD 旁路电容器(位于 C35和 C137的位置)。

    总共并联了6个电容器。

    ->如果 Cboot 为4.7uF ,则  VDD 旁路电容的值为(4.7*10  )/ 6. =7.83uF、因此6个并联电容的和为47uF、是4.7uF 的10倍。

    它是正确的计算吗？ 或者我缺少什么吗？

    [报价]

    我认为、如果有1个高侧 MOSFET 由自举电路驱动、那么您的计算适用。  

    如果使用3个 UCC21551-Q1驱动器来驱动6个 MOSFET (3个高侧和3个低侧)、计算方法会稍有不同。

    如果所选自举电容为4.7 μ F、则低侧驱动器的 VDD 旁路电容将分别为47 μ F。

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    5.关于外部栅极电阻

    我喜欢下面的说明在文件 SLUA618A 和 SLLA385A ;

    5-1. 红色框中的说明表明、建议在计算外部栅极电阻值时从0欧姆电阻器开始。

    BU 我的客户担心器件会因较高的栅极充电电流而出现故障。 那么、您是否可以推荐使用电阻器值而不是0欧姆？ (外部栅极电阻的起始值。)

    5-2. 在图15中、我发现电容值取决于 Vce。 ->在计算 Ls 的公式(1)中、您能否检查 Ciss 值是否处于 VCE 条件下？ (即、当 VCE=10V 时、Eq (1)的 Ciss 值。)

    5.3.能否看一下 ROFF 和串联二极管值的计算公式？ 我无法找到 SLUA618A 和 SLLA385A 都无法提供的说明。

    [报价]

    5-1.) 客户可以从更安全的值开始、例如10-15欧姆。 显示了中的公式  8.2.2.3栅极驱动器输出电阻器  驱动器数据表中的电流可用于估算流经栅极路径的电流大小。

    5-2.) 从图中可以看出、它大约为3000pF。

    5-3.) 相关信息、请参阅  8.2.2.3栅极驱动器输出电阻器 以将关断电阻与电流相关联。

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    6.关于 dv/dt 保护(计算 RGS)

    我在 SLUA618A 文档中找到了以下说明;

    正如我之前所说 、我发现电容值取决于 VCE。

    ->在公式(20)和(21)中、您是否可以检查  CGD 值是否处于 VCE 条件下？ (即 eq (20)的 CGD 值在 VCE=10V 的条件下。)

    [报价]

    负载栅极上的10k Ω RGS 外部下拉电阻器就足够了。

    [报价 userid="464516" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491504/ucc21551-q1-questions-about-ucc21551-q1/5739455 #5739455"]

    7.关于自举电容器

    我在 SLUA887A 中找到了以下说明;

    如果使用上面的公式、如何设置 I_HBS 的值？ 我在数据表中找不到该值。

    [报价]

    这存在于具有集成自举功能的半桥驱动器中。 UCC21551-Q1没有集成自举电路、因此数据表中不会显示该值。 这个变量指的是自举电源漏电流。

    Unknown 说：
    8. 最后、我的客户将使用 IGBT 和 UCC21551-Q1。 (不适用于普通 MOSFET、SiC MOSFET)它有什么问题吗？

    UCC21551-Q1完全能够驱动 IGBT。  

    此致、

    Hiroki