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[参考译文] LMG2100R044:序列和外露焊盘问题

Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R044

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495701/lmg2100r044-sequence-and-exposed-pad-questions

器件型号:LMG2100R044

工具与软件:

团队成员、您好!

我的客户正在考虑使用 LMG2100R044、但有一些问题。
是否可以回答以下问题?

问题1.
控制器可能会在 LMG2100之后通电。
在控制器完全上电之前、HI 和 LI 的输入信号将是无限的。
在此期间、LMG2100开关是否会不稳定?

问题2.
封装顶部有 SW 和 PGND 外露焊盘。
0.7C/W 的 Rtheta JC 是在哪里定义的? (SW、PGND 还是模塑化合物?)

问题3.
客户可能会将 LMG2100s 放置得非常紧密(<3mm)。
他们担心 EMI 干扰、因为 SW 焊盘暴露在封装顶部。
它是否会因 EMI 干扰影响 LMG2100的运行?

此致、
Kei Kuwahara

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Kei

    [报价用户 id="518653" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495701/lmg2100r044-sequence-and-exposed-pad-questions question1

     LMG2100上的输入引脚具有内部下拉电阻、因此、 如果控制器尚未提供任何信号、低电平状态将生效。  

    [报价 userid="518653" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495701/lmg2100r044-sequence-and-exposed-pad-questions "]问题2

    从外露的 SW 和 GND 焊盘到外壳的热阻值被定义。 芯片的外露部分实际上是高侧 FET (SW)的源极和低侧 FET (GND)的源极。 这意味着、对于每瓦的功率损耗、芯片外壳顶部之间都将存在1W * 0.7C/W = 0.7C 度的温差。  

    [报价 userid="518653" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495701/lmg2100r044-sequence-and-exposed-pad-questions "]问题3

    此问题与辐射 EMI 有关。 由于我们还没有验证这个完全配置、此情况必须通过实验证明。 但是、由于空气与模塑化合物的电介质没有太大差异、因此暴露芯片发出的噪声与芯片是否覆盖了模塑化合物之间不应有太大差异。  

    谢谢!

    John