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器件型号：LM74900-Q1 Thread 中讨论的其他器件： LM74910-Q1
工具/软件：
根据应用手册中 包含 HGATE 升压晶体管的示例电路、我正在设计一个在优先级多路复用器配置中使用 LM74900-Q1或 LM74910-Q1的设计。
我试图实现较短的导通时间(如应用手册中所述、总导通时间约为20 µs、包括抗尖峰脉冲延迟)、因为我没有空间让大输出电容器在切换期间保持电压。 为了帮助解决此问题、我在 HGATE 上添加了建议的外部升压级、该级使用由 CAP 引脚供电的晶体管。 我很好奇这种方法可以实际将多大的电流推入 MOSFET 栅极？
您能否澄清一下：
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在不干扰电荷泵启动或电容调节的情况下、我可以通过升压晶体管消耗的实际最大电流是多少？ 我是否应保持在内部限值以下以避免 不稳定？
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LM74900-Q1或 LM74910-Q1是否可以在初始上电期间通过 HGATE FET 可靠充电的建议最大输出电容？ 我不是很担心启动时间只是从初级切换到次级以及次级切换到初级。
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CAP 引脚上电容器的容值限制是多少？ 在使用升压晶体管开启 HGATE 期间、是否可以获得5mA 或更大的电流？
感谢您在这里提供的任何指导。 提前感谢！
