[参考译文] ISO5852S：ISO5852S：关于 VIORM 变化和长期可靠性的说明

您好 Sean、

再次感谢您对 ISO5852S VIORM 等级变化的非常有帮助的解释。

在讨论的基础上、我有一个关于 UCC21710 的具体后续问题。 其数据表当前规定 VIORM = 2121Vpk。

我们的新应用需要功能隔离、连续工作电压为 2500VDC。 这显然高于数据表中的官方 VIORM 等级、但您之前的说明让我们希望器件的物理能力可能允许这种情况。

我们知道、您无法正式批准超出数据表规格的运行。 但是、您能否提供有关 UCC21710 在连续 2500 VDC 下的长期可靠性的任何见解或特性数据？

具体而言、我们试图了解 2121Vpk 限制是否基于较旧且保守的寿命模型（如 ISO5852S）、或者 UCC21710 中是否存在导致在 2500VDC 下无法可靠运行的基本限制。

您可以提供的任何指导对于我们的设计评估都至关重要。

谢谢你。

您好 Sean、

感谢您的反馈。 我正在重新阅读、并希望提出一些后续问题、以确保我的理解是正确的、尤其是关于一些数据表比较情况。

1. VIORM 更改理由：我是否正确理解、V_IORMISO5852S 的增加到 2121Vpk 双极主要是为了与较新的行业标准保持一致？

2. 数据表差异（外部清关）：我注意到文档中存在差异。 ISO5852S 数据表（SLLSEQ0C–2015 年 8 月–2023 年 5 月修订）规定的外部间隙为 14.5mm。然而、ISO5852S-Q1 数据表（SLLSEQ2A–2016 年 9 月–2016 年 12 月修订）指出、尺寸仅为 8mm。由于两个器件使用相同的 SOIC (DW) 16 封装、您能否说明哪个值正确？

3. 数据表差异 (VIORM)：同样、V_IORM标准 ISO5852S 数据表（2023 年 5 月修订版）中列为 2828Vpk 双极、而 ISO5852S-Q1 数据表列出的是 2121Vpk 双极。 这两个值对于其各自的器件是否正确？

4. 隔离栅寿命比较 (ISO5852S 与 UCC21750)：我的最后一个问题是关于比较隔离栅。 我是否正确理解 UCC21750 中的 SiO₂ Ω 隔离栅被认为不如 ISO5852S 中的隔离栅稳健？ 具体来说、对于我们连续工作电压为 2500V 直流电压的应用、这是否意味着 UCC21750 的预期隔离栅寿命比 ISO5852S 明显更低？

如果您能就这些问题作出任何澄清、将不胜感激。