[参考译文] UCC28C56H-Q1：UCC28C56EVM

尊敬的 Yakshraj：

感谢您的联系。

[引述 userid=“632479" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1554759/ucc28c56h-q1-ucc28c56evm A. 我可以将此反激式控制 IC 用于两种设计吗？ 如果没有、您能否建议合适的替代方案？

是的。

[引述 userid=“632479" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1554759/ucc28c56h-q1-ucc28c56evm b. “我想听你的想法。 在单个 PCB 上通用两种设计 、是否只能通过更改变压器（匝数比）来实现、或者是否需要考虑其他重大更改？

如数据表中的表 9-1（第 27/54 页）所述、转换器可设计为具有宽输入电压范围。 因此、相同的电路应该适合您的应用。

[引述 userid=“632479" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1554759/ucc28c56h-q1-ucc28c56evm

c. 我需要了解 VDD 的高电压启动 。 具体来说：

• 为什么使用两个 N-MOSFET 以及如何控制它们？

• 在运行过程中如何维持控制器的 VDD 电压 — 它始终由辅助绕组供电还是可以通过 VIN 维持电压？

[/报价]

HV 启动电路利用两个 600V 耗尽模式 MOSFET (Q1、Q2)。 耗尽模式 MOSFET 在未施加栅极电压时导通、并随着 VGS 电压变得越来越负时开始关断。 当 VGS 低于关断阈值时、它完全关断。 耗尽模式 FET 的特性使其非常适合为高电压启动实现电流源。 很难找到额定电压为 1.2kV 的低成本、小尺寸耗尽型 MOSFET、但在 600V 至 800V 范围内有多种选择。 因此、具有建议的栅极钳位电路的堆叠式耗尽型 MOSFET 配置将均匀地分配 1kV 输入电压产生的电压应力。

在从 VIN 启动高压 (HV) 期间、电容器 C12 必须将 VDD 电压保持在 UVLO 关断阈值以上、直到 AUX 电压上升到足以正向偏置 D12 的高电平。 如果 C12 的值不够高、VDD 电压将在低于 UVLO 关断阈值时衰减、转换器将过早停止开关。 当 VDD 电压在 UVLO 导通和 UVLO 关断之间转换时、控制器将持续开启和关断循环。 新设计中最常见的问题之一是 VDD 电容值过低、并报告“没有输出电压“或“它无法启动“。  电解大容量电容器 (C12) 应相对靠近 VDD 引脚。 另一方面、高频旁路电容器 C18 必须是陶瓷型、并在物理上放置在尽可能靠近 VDD 引脚的位置并接地。 建议使用 1.0μF、X7R 电容器进行高频去耦。 为了抵消直流偏置的影响、该电容器的额定电压必须约为预期 VDD 电压的 2 倍（≥35V）

请随时参阅以下文档：

https://www.ti.com/lit/pdf/sluaal3

[引述 userid=“632479" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1554759/ucc28c56h-q1-ucc28c56evm D. 您还能解释一下的作用吗 前沿消隐 (LEB) 电路 用于此原理图中？

LEB 电路的作用只是给 CS 引脚增加额外的延迟（例如抗尖峰脉冲时间）、以确保 CS 上的短瞬态不会触发、过流事件会使 PWM 控制器关断。 因此、这个附加电路（RC 时间常数）充当到该引脚的抗尖峰脉冲滤波器。

希望这有所帮助。 如果此操作可以解决问题、请点击绿色按钮（如果不能自由提问）。

此致、

Pratik A.

尊敬的 Yakshraj：

如何在以下情况下正确调整变压器参数的大小并计算变压器参数 辅助绕组用于 PSR .

请参阅此应用手册

https://www.ti.com/lit/pdf/slup416

这些值是根据电压和功率要求为此应用计算的、这些是数据表中的假定值、请为您的应用计算这些值。

此致、

Pratik A.