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大家好,团队
有一个很好的新的 DIN LM5039
有两个问题需要您确认,谢谢
<1>以下两组练习是否会对 LM5039产生重大影响?!
2>如果在下臂上使用 CT (电流互感器)(指示与下面的红色框类似的内容)... 您会推荐这种方法吗?!
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大家好,团队
有一个很好的新的 DIN LM5039
有两个问题需要您确认,谢谢
<1>以下两组练习是否会对 LM5039产生重大影响?!
2>如果在下臂上使用 CT (电流互感器)(指示与下面的红色框类似的内容)... 您会推荐这种方法吗?!
你好,郑
在 LM5039的数据表中,可以使用两种方法来感应主电流。 如果使用电阻器感应电流,则需要注意重新启动时间, 并且可以减小 RES 电容器的值,以缩短重新启动循环开始前的时间。 当使用电阻电流感应方法时,在峰值循环电流限制模式下工作时,输入电容器电压可能会出现不平衡。 如果不平衡现象长期存在,可能会导致未感测 MOSFET 中的电流过大,并可能导致变压器饱和。 半桥拓扑采用峰值逐周期电流限制操作,这种情况是固有的,而半桥电路的一段仅感应会使这种情况变得更加复杂。 建议激活此类配置中的平均电流限制电路。 但是,由于只有替代周期可以为 ACL 电容器提供电流,因此需要将 ACL 电容器减半。 这仍可能导致轻微失衡,具体取决于输入/输出电压水平,以及由于下半桥接器中的附加 CS 电阻器导致半桥两相之间的阻抗不匹配。
因此,我认为您可以建议客户使用 CT 来感测高侧和低侧 MOS 的电流,以避免可能出现的失衡问题。
巴西
徐杰瑞