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[参考译文] CSD1.8542万KTT:CSD1.8542万KTT存在门铃问题

Guru**** 675280 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/571984/csd18542ktt-csd18542ktt-with-gate-ringing-issue

部件号:CSD1.8542万KTT

尊敬的先生  

TI是否有如下链接所示的此类文档??

由于我们满足MOSFET开启要求,当我将CSD1.8542万KTT与TI电池AFE配合使用时,栅极出现振铃问题

但在相同的布局中,另一个解决方案SG60N04G不存在此问题  

状态:3个放电MOSFET并联  

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    Kai,  

    我不认为TI曾经就并联FET编写过自己的应用说明,因为我们的竞争对手已经提供了大量有关该过程的文献-我知道IR除了AOS之外还有一个很好的文献。  

    但是,我们已经编写了两个有关减少振铃的应用说明。 第一种可能不适用,因为我认为它与表面安装设备有关,但第二种可能适用于您。  

    此外,如果您想提供一个示意图,我可以请我们的应用程序工程师查看他们是否有任何建议。 我找不到您上面提到的公司部件的数据表,因此如果您希望我们的团队深入了解,这将很有帮助/很有必要。  

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    尊敬的 Brett  

    下面的附件是测试报告,到目前为止,当我们添加外部 铁氧体磁珠可以解决此问题  

    但由于我们不保留栅侧的串联电阻,因此有机会通过修改布局来解决此振铃问题  

    谢谢  

    e2e.ti.com/.../4064.BQ76930-application-issue.docx</s>7.693万

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    Kai,
    我会告诉您我们的应用程序团队说了些什么
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    我向我们的应用程序团队展示了您的原理图。 这是他们不得不说的:

    "他们需要保留铁氧体焊珠或更改布局… 当您并行FET时,此门振荡是一个常见问题,需要通过电阻器,磁珠或理想布局进行控制。"