[参考译文] LM5121-Q1：请查看升压转换器示意图

您好，Saneesh：

感谢您使用E2E论坛，关于回顾，我发现了以下内容：

1. Cin最好在560 UF左右，而Cout更重要的是应该在290uF左右，我建议在输出端增加几个并联电容器，从而为您的当前设计提供一定的利润。

2.请问何敏MOSFET的栅极和排水器之间连接的R908的用途？

3. D4二极管的额定电压为30V和30A，我建议在这里使用较高的额定电流二极管。

4.您的设计中的斜率为84.5k欧姆，这意味着您的k为1.087 ，这很好，但不是数据表中建议的，请记住这一点。

除此之外，它看起来不错。

巴西，

Haroon

您好，

感谢您的回复

以下是我的疑问  

1. 由于输入电压来自电池组，我们仍需要更高的输入整流电容器(Cin)值？  
2.  R908提供下拉电阻器。
3. D4二极管已从设计中移除。  
4. 我使用下面的方程式来计算R斜率。  
5. 

此致

Saneesh

您好，Saneesh：

1.输入中不需要更高的电容，只是首选。 对于升压转换器，输出电容器更为关键和重要。 如果输入电压来自电池组，则它应该已经足够好，适合您选择的电容， 但请记住，当我们讨论输入电压中的波纹与您选择的电容时，您将得到78mVpp波纹，而560uH时，您将得到大约2.6mV，正如数据表第35页公式(32)中所述。

2. R908似乎是一个上拉电阻器，因为它没有接地，所以在那里可以有一个下拉电阻器。 虽然没有必要，因为HO驱动器足够强，当MOSFET的栅极放电时，它应该保持关闭状态，而不是保持浮动状态。

4.是的，方程式是Rslope的最小值，您可以使用数据表第16页的方程式(6)， 但您所选的值没有错，我只是说在数据表中，它是提供额外坡度补偿的最低值之一。

巴西，

Haroon

您好，

好的。 已理解  

我还有一个需要您澄清的问题。 此查询与PCB布局有关。 PCB为6层。 顶层用于高电流路由，底层用于LM5121和相关电路布置。 我是否可以将高侧和低侧PWM信号通过任何层路由到交换节点的正下方？

此致

Saneesh