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部件号：TPS7A85 线程中讨论的其他部件： TPS7.4401万， LP3.8798万， TPS7B4254-Q1， TPS709-Q1
您好，
请问我对于LDO器件的RCP方案有何疑问？ 在TPS7A85数据表的8.1 ................................................................19中，建议添加肖特基二极管，以防止反向电流损坏。
(1)我注意到其他一些器件在数据表中未包括此建议-例如TPS7.4401万。 我想知道这些设备是否集成了另一个保护方案。 也许肖特基二极管集成在封装中？
(2) 由 于反向电流的问题是由于其本身的二极管结构由外至内而引起的，我相信具有P-FET的LDO器件，例如LP3.8798万，对反向电流的问题并无任何关注。 P通道通过FET将有从内到外的主体二极管。 我的理解是否正确？
