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[参考译文] BQ7.62万:DSG和CHG电压仅为6V

Guru**** 655270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1098986/bq76200-dsg-and-chg-voltage-is-only-6v

部件号:BQ7.62万

您好,
关于BQ7.62万,DSG_EN和CHG_EN电压为10.9V,VDDCP电压为10.83V,DSG和CHG电压仅为6V。
为什么电压不能上升到9伏以上? 我尚未加载,MOS的CISS仅为2.2nF。

如附,I短接C21。 也调整了C15,电压约为6V

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    您好,Jingming,

    您是否可以尝试缩短C24以查看这是否有影响? 也尝试将R27或R56设置为零。 请告诉我结果。  

    此外,您还可以查看此应用程序注释以帮助您进行调试。 https://www.ti.com/lit/an/slua794/slua794.pdf?ts=1651765020864&ref_url=https%253A%252F%252Fe2e.ti.com%252F 

    谢谢!
    Caleb

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    您好,
    1.发现6V问题。 电阻器R51因某种原因损坏。 电阻值为12K。 虽然C15具有10.8V,但VDDCP和B+之间的电压仅为6.1V。
    2.我有6对MOS并联连接。 更换电阻器后出现新问题。 DSG/CHG电压为0。 拆下DSG MOS中的所有47R电阻器后,DSG/CHG电压正常,具有10.8V。
    3.依次对47R电阻器短路,其中一个是正常的,所有其他电阻器都短路,使电压达到0伏。 然后发现MOS的D和S测量值之间存在短路。
    4.所附图片是未拆下所有电阻器时的波形。

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    您好,Jingming,

    由于您有如此多的FET并联,因此您可能需要增加VDDCP电容器。  

    此外,从原理图上看,您可能会意外短路R45。

    谢谢!
    Caleb

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    您好,
    1. MOS的电容仅为2.2nF。 根据TI的指导文档,C15的2.2uF应该足够。 我有一些正常的主板。
    2,这可能是因为拖拖拉拉,主板其实是好的。
    3.所以我不知道为什么电压被拉低,
    4.断开R27,DSG的电压为10.8V。 对R27短路后,DSG电压变为0V,然后断开R27将发现MOS的D/S短路。 一段时间后,MOS的D/S将自动恢复正常。 这是一个非常奇怪的现象

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    您好,Jingming,

    1. VDDCP盖应正常。
    2,拖动是什么意思?
    3.请参阅以下示意图的屏幕截图,我怀疑R45可能短路。 您能否确认是否正确?

    谢谢!
    Caleb

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    您好,如图所示,R45没问题。
    我有另一组电池,充电和放电测试正常。 在放松了两天之后,发现BQ7.62万没有再次输出。 通常,VDDCP~B+大于10V,DSG和CHG也大于10V。 现在VDDCP~B+仅为9.3V,DSG和CHG电压为0V。 DSG_EN和CHG_EN与GND的电压始终为10.9V

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    您好,

    1、我取下了R56并将其放回,它工作正常。 我觉得MOS的驾驶能力还不够。 我读了VDDCP的电容是MOS电容的25倍的规格。 理论上,2.2uF足够,单个MOS仅为2.2nF。 此电容器是否有其他参考标准?

    2、技术指标是15S上使用BQ7.62万,16S上使用LiFePO4,总电压小于60V,会影响IC吗?

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    您好,Jingming,

    首席工程师将在星期二之前离开。 (5/17)我希望届时能给您一个答案。

    感谢您的耐心等待,
    Caleb

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    您好,Jingming,

    堆栈电压看起来不错,我同意您的VDDCP电容应该足够。  

    是否存在任何可能损坏IC的方法? 您是否可以尝试另一个IC来查看您是否观察到相同的行为?

    有趣的是,它在两天之后改变了行为。  

    谢谢!
    Caleb

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     您好,IC正常。电容器膨胀后,情况会好得多

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    听起来,您的问题已通过增加VDDCP电容得到解决。 如果正确,我将把问题标记为已解决。

    谢谢!
    Caleb

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    您好,目前没有问题。 电容器太多不是很好