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[参考译文] CSD1.7313万Q2:VGS (TH)规格:5V驱动优化?

Guru**** 1091470 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100838/csd17313q2-vgs-th-specification-5v-drive-optimized

部件号:CSD1.7313万Q2
主题中讨论的其他部件: CSD1.7318万Q2

团队,

您能为以下问题提供帮助吗?

我有一个关于CSD1.7313万Q2 MOSFET的问题(参见数据表SLPS260E第3页)。
根据VGS (TH)上的信息,3.0V已足够。
但在功能中,它表示该部件是"5V驱动优化"的。
问题:
-"5V驱动优化"的确切含义是什么? 如果以3.0 -3.3V驱动,会有什么区别?
此MOSFET是否可以在3.0 -3.3V电平下驱动,而不会出现任何问题?
如果没有,在同一个住房中是否有其他办法可以做到这一点?

提前感谢!

A

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好AnBer:

    感谢您的咨询。 MOSFET阈值电压VGS (th)在数据表中以VGS的值指定(并测试),其中ID = 250μA。 CSD1.7318万Q2的电阻经过指定,测试和保证,VGS = 3V,4.5V和8V。 只要您提供VGS≥3V且VGS < 10V,FET就会打开并符合数据表中的ON电阻规格。 数据表显示已针对5V栅极驱动进行优化-这是您应获得最佳性能的最佳位置。 您可以将其驱动到低到3V,接通电阻更高。 此外,此器件的ABS最大VGS额定值为+10V/-8V,与12V栅极驱动器不兼容。 我们的某些FET的额定电压仅为VGS = 4.5V或6V,但其ABS的最大电压额定值为+/-20V,并且与12V栅极驱动兼容。 希望这有所帮助。 如果您有任何疑问,请告诉我。

    此致,

    约翰·华莱士

    TI FET应用