[参考译文] LM5060：电源管理论坛

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123335/lm5060-power-management-forum

器件型号：LM5060

我们的项目适用于热插拔应用。我们对该项目的期望是它能够以50A 的电流运行。

>您对 FET 设计有什么建议吗？
-在我们的测试(25A-12V)期间、我们发现 FET 变得非常热(100+ C)。
-即使 FET 是并联的、为何会变得如此热？

>您是否有用于测试 LM5060的高电流设计建议？

>您是否有热插拔应用的参考设计建议？

>我们的 Rsense 电阻值不在我们预期的范围内。这样做的原因可能是什么？影响 Rsense 电阻器值的参数可能是什么？

>对于我们的热插拔(适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器)应用、您是否推荐其他产品？

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2507255 points

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您好、Ali Gonca、

欢迎使用 e2e！

让我在明天返回给大家详细答复。同时，您能不能帮助我了解您在应用中需要的主要特性，如过压保护、欠压锁定、浪涌电流控制、输出短路保护、过流限制？

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2507255 points

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我计划为一些系统提供 FET 输出端的电压。
出于安全考虑、我将使用上述设计作为安全开关。
在我要馈送的系统中、我将增大到50A。
我希望在更高的电流下、它的热量会减少。
Q5-Q1之间的 FET 电压测量值分别为48.2mV-36.5mV-30.9mV-29.4mV-28.4mV

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2507255 points

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您好、Ali Gonca、

有5个并联 FET、每个 FET 的 RDS (on)= 6.1mohms。对于25A 总负载电流、流入每个 FET 的电流将= 25/5=5A。每个 FET 的功率损耗为5A*5A*6.1mohms = 152mW，这不是很高。产生 FET 温度的可能原因是、

由于某种原因、FET 的栅极-源极电压较低、迫使 FET 在饱和区域(高电阻区域)中运行。但是、看看压降测量结果、看起来不是这样的。您还可以通过测量 FET 的栅极- GND 电压来确认这一点。栅极电压应约为24V。
FET 的布局不合适。采用适当的 FET 布局(FET 漏极连接到铜平面)时、FET 中的温升应最小。650mm2 铜平面的 FET RQJA 为41 C/W、对应于仅6.2C 的温升。您能否共享电路板布局以供查看？