主题中讨论的其他器件: CSD17578Q5A、 CSD17578Q3A、 CSD17581Q5A、 CSD17576Q5B
你(们)好
我们可以在 CSD17308Q3中添加一个很好的新功能、
并需要您支持以下要求以确保 DWIN、THx
- 请使用 CSD17308Q3帮助提供 Rdson VS 漏极电流曲线
- 请帮助提供与 BSC0909NS 的比较、并提供应用建议和注意事项。
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你(们)好
我们可以在 CSD17308Q3中添加一个很好的新功能、
并需要您支持以下要求以确保 DWIN、THx
您好、Kgo、
感谢您向客户推广 TI FET。 CSD17308Q3是一个30V、11.8mΩ μ A 的最大电压、VGS = 4.5V FET、采用3.3x3.3mm SON 封装。 绝对最大 VGS =+10V/-8V、导通电阻的额定最小 VGS = 3V。 VGS = 4.5V 时、QG = 3.9nC 的典型值。 这是一款较旧、成本较高的器件。
BSC0909NS 在 VGS = 4.5V FET 且采用5x6mm TDSON 封装时为34V、11.8mΩ μ A 最大值。 绝对最大 VGS =+/-20V、导通电阻的额定最小 VGS = 4.5V。 VGS = 4.5V 时、QG = 7.2nC 的典型值。
这些封装与封装尺寸不兼容。 TI 的封装兼容5x6mm SON。 我们推荐的交叉参考是 CSD17578Q5A、30V、VGS = 4.5V 时最大为9.3mΩ μ A。 绝对最大 VGS =+/-20V、导通电阻的额定最小 VGS = 4.5V。 VGS = 4.5V 时、QG = 7.9nC 的典型值。 该 FET 裸片还采用与 CSD17578Q3A 相同的3.3x3.3mm SON 封装
TI 不在我们的 FET 数据表中提供 RDS (on)与 ID 曲线。 我们仅提供数据表中图2和图3所示的饱和和传输特性。 如果您有任何疑问、请告诉我。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
John
感谢您的反馈!
由于客户需要比较表、我已经编译了 CSD17578Q5A 和 BSC0909NS 的比较表!
您能帮助确认它是否正常吗? Thx
请参阅以下比较表
|
TI CSD17578Q5A |
BSC0909NS |
|
V_DS |
30 |
34 |
五 |
V_GS (TH) |
1.5 |
2. |
五 |
V_GS |
±20 |
±20 |
五 |
ID |
59. |
44. |
A |
I_DM |
132. |
176. |
A |
TJ |
-55至150 |
-55至150 |
°C |
问题 |
7.9 |
7.2. |
常闭 |
Qgd |
2. |
1.8 |
常闭 |
r_dson |
5.9. |
9.2. |
MΩ μ A |
输出电容 |
136. |
390 |
PF |
CIS |
1170 |
1100 |
PF |
客户服务中心 |
58. |
25 |
PF |
您好、Kygo、
在本例中、对于3mΩ μ A、我建议使用 CSD17576Q5B、但成本要高得多、QG 大约是 CSD17578Q5A 的3倍、这意味着栅极驱动和开关损耗会更高。 另一种选择是 CSD17581Q5A、就成本和性能而言、它介于这两种器件之间。 这适用于同步降压转换器吗? 我们在以下链接中提供了基于 Excel 的同步降压 FET 选择工具。 这使得用户能够输入他们的要求、并在功率损耗、每千美元的价格和封装方面比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 我们还为其他应用提供了类似的工具。
谢谢、
John