[参考译文] LM5121-Q1：LM5121效率改进

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器件型号：LM5121-Q1

我们组装了电路板并使用高达10A 的电流进行了测试。最初、我们的效率低于90%。移除与高侧 N 沟道 MOSFET 并联的缓冲电路后、效率高达93%。我们是否有任何方法可以进一步提高效率。

我们需要接近96%的效率

0 admin 1 年多前

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您好、Ancy、

感谢您使用 E2E 论坛、您能给我提供您的设计规格和设计原理图吗？我很难在没有资料的情况下提出建议。

谢谢你

BR、

Haroon

0 admin 1 年多前

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我们已将详细信息和原理图分享给 TI 以供审核。链接如下所示

0 admin 1 年多前

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您好、Ancy、

更改运行模式有助于降低损耗。您的设计是否可以更改工作模式？

BR、

Haroon

0 admin 1 年多前

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在我们的设计中、MODE 引脚接地

0 admin 1 年多前

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目前、高侧 MOSFET 处于导通状态、因此它在同步模式下工作。 MODE 引脚接地。我们将 MOSFET NTMTS0D7N04CTXG 用于高侧和低侧

0 admin 1 年多前

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您好、Ancy、

我看到、这意味着您以 DEM 模式运行器件、我相信您可以通过在 SOM 或 FPWM 模式下运行来降低损耗、尤其是在负载电流较高的情况下。其他建议是增加源极电压也可以降低损耗。

关于 FET 开关、使用具有较低 RDS (on)的开关可能是降低损耗的一个主意。

BR、

Haroon

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