[参考译文] LM5050-1：LM5050-1可控制多个并联 MOS

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Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1, LM74720-Q1, LM74700-Q1

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器件型号：LM5050-1
主题中讨论的其他器件： LM74720-Q1、 LM74800-Q1、 LM74700-Q1

你(们)好，先生

我有一个使用多个 OR-MOS 的模型(BSC010NE2Ls, Infineon )

我想使用一个 LM5050-1来控制多个 MOS

这是可行的吗？或者您有更好的建议

Tks

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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尊敬的 TKS：

是的、LM5050-1可以并行驱动多个 FET。请允许我知道以下信息、以便我可以为您的应用建议更好的器件。

输入电压范围：
最大负载电流：
所需功能：反向电流阻断，?

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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你(们)好，先生

请参阅以下内容、我有一个问题

因为我有不同的型号、所以有不同的电压和电流、12V/66A 只是其中一种型号

LM5050-01可驱动的不同 FET 模型中并联的多个 FET 的数量

输入电压范围：12V
最大负载电流：66A
OR-Mos： BSC010NE2LS*5件
所需功能：由于原型需要并联使用、因此需要反向电流阻断

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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尊敬的 TKS：

LM5050-1可驱动多个并联 FET。在栅极拉电流和灌电流恒定的情况下、增加并联 FET 的数量会增加有效的 Ciss、从而增加 FET 的导通和关断时间。如果应用可以接受这些增加的 Ton 和 Toff、则使用 LM5050-1并联驱动多个 FET 应该没有问题。

如果需要更快的导通和关断时间、您可以考虑将 LM74810-Q1 (或) LM74720-Q1仅用于理想二极管配置、因为它们具有更高的栅极驱动强度。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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你(们)好，先生

如果需要更快的接通和关断时间，但不需要负载突降，因为我们的输入电压来自交流/直流，而不是来自电池

LM7400是否比 LM74810-Q1更适合？

Tks

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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尊敬的 TKS：

LM74700-Q1的栅极驱动强度为11mA 、而 LM74800-Q1的栅极驱动强度为20mA。您可以根据这些信息在 LM74700-Q1和 LM748001-Q1之间做出决定。

LM74700-Q1：

LM74800-Q1：

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 654100 points

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你(们)好，先生

1：我能否提出有关驱动器电流的详细问题？

如何通过计算驱动电流来选择正确的驱动器 IC？

这可以帮助我在不同的 CIS MOS 中选择正确的驱动器 IC

2：LM74700-Q1和 LM748001-Q1能否驱动 CIS 23500pF？或需要更高的驱动电流

例如、有一个模型、如下所示

交流/直流电源(两个并联电源)

输入：90~264Vac

输出 V/A：12V/66A

OR-MOS：总 CIS 23500pF ( 并联5个 MOS)

Tks

0 admin 1 年多前

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尊敬的 TKS：

用于计算导通和关断时间的适当近似值是使用公式、

I = C (dv/dt)

其中、

I = I_(GATE)，使用拉电流计算导通时间，使用灌电流计算关断时间。
C =总 Ciss
dV = 10V
dt =导通时间或关断时间、具体取决于所使用的 I (GATE)拉电流或灌电流

您可以选择提供可接受的接通和关断时间的控制器。

正如我之前所说的、 LM74700-Q1和 LM748001-Q1均可驱动 Ciss = 23500pF、但导通和关断时间会增加。随着 Ciss 的增加、用于这些器件的电荷泵电容必须根据以下公式增加、

电源管理（参考译文帖）

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