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[参考译文] LM25117:与 LM25148进行比较

Guru**** 612015 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25148, LM25117, LM25148-Q1, LM25149, LM5149
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123611/lm25117-compare-with-lm25148

器件型号:LM25117
主题中讨论的其他器件:LM25148LM25148-Q1LM25149LM5149

大家好、

我的客户需要常规的 WV 降压控制器(无 EMI 要求)

我是否知道 LM25117和 LM25148?建议使用哪一种?

我看到 LM25148是一款新器件、性能看起来也更好、

只是好奇、在什么情况下我应该使用 LM25117?

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    您好 Fred

    对于  任何新的电流模式设计、请考虑采用具有超低 IQ www.ti.com/.../LM25148-Q1的 LM25148-Q1汽车类42V 同步降压直流/直流控制器。 LM25117具有 LM25148不提供的电流监控功能。  

    -李家祥  

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    尊敬的 Eric:

    但我注意到 LM25117具有更好的驱动能力、这使客户能够更灵活地选择 MOS

    你怎么看?

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    您好 Fred  

    LM25117提供7.6V 标准 MOSFET 驱动器、而 LM25148提供5V 逻辑 MOSFET 驱动器。 如果应使用标准 MOSFET、请选择 LM25117。  

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    谢谢 Eric、明白了

    为什么我无法在计算器中计算 MOS 功率损耗?

    还有其他选择吗?

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    您好 Fred

    我在 TI.com https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 上找到了计算器 。  

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    这里有一个问题、

    那么、对于 LM25117、VCC 是默认连接到 Vin、对吧?

    如果要使用 Vin 电源、我们不必将任何东西连接到 VCC、在定义中、Vin 电源不是外部电源?

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    您好 Fred  

    是的、LM25配置 的 VCC 稳压器仅通过 VIN 引脚供电。   

    否、应在 VCC 引脚和 PGND 引脚之间连接一个陶瓷电容器。 µF 的电容 µF 为0.47 μ F 至10 μ F。

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    明白了、

    如果我将 VCC 连接到输出电压(12V)

    这是否意味着 MOS 的开关损耗会更低,因为 VCC 是12V 而不是7.6V?

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    您好 Fred  

    MOSFET 的开关损耗和 IC 的功率损耗可以降低。   

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    VCC 为12V 时。

    实际上、我认为 MOS 开关损耗会降低、因为  VCC 拉电流更快(12V > 7.6V)

    在相同的驱动电阻下。您认为什么?

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    您好 Fred  

    Rdson 损耗将减小、但栅极驱动损耗将增大、 因为 MOSFET 驱动电压从7.6V 增加到12V。

    这意味着、在轻负载或低电流应用中、效率可能会降低、但重负载效率可以提高、尤其是在开关频率较低时。

    - 李家祥

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    尊敬的 Eric:

    MOS Vgs 的上升/下降时间应该 更快、对吧?

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    您好 Fred

    由于 Vgs 斜率会更陡、因此不容易估算、但 Vgs 应在12V (而不是7.6V)时达到。 是的、MOSFET 开关损耗将更小。 我将更正上一个帖子。

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    为什么 Vgs 不是12V 而是10V、我认为它与 VCC 相同?

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    您好 Fred  

    它是12V。  

    -李家祥

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    谢谢

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    感谢您推广 BSR-WV 器件。 如果您有任何疑问、请随时与我联系。
    - Eric Lee (应用工程)

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    尊敬的 Eric:

    只需向您确认具有"12V VCC"的 LM25117 能够具有比 LM25148更低的"高侧 MOS"开关损耗 ?

    在相同的频率、相同的20A 负载和相同的 MOS 下、哪一个具有更好的驱动性能?

    2. 计算器中的 MOS 损耗远低于你上面给出的 MOS 工具的结果。   

    您是否知道这两种工具之间存在巨大误差的原因?

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    您好 Fred、

    我们可以确认、在更高的栅极驱动电压(在本例中为 VCC = 12V)下、FET 将能够更快地导通、从而降低过渡损耗。  下文 第3页和第4页提供了更多详细信息。  原因是、由于栅极电压较高、驱动电流可用性更高。

    https://www.ti.com/lit/an/snva606/snva606.pdf?ts=1660571175080&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    我不确定 Eric 提供的 MOSFET 计算器工具、但有许多假设、MOSFET 损耗的计算始终是估算值、基准结果和计算结果之间通常存在差异。  因此、我们通常在纸上选择一些看起来合适的 FET 并对其进行测试、最后选择 能够在应用中产生最佳性能的最佳 FET、这通常是"黄金标准"。

    希望这对您有所帮助?

    David。

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    尊敬的 David:

    非常感谢您提供的资料、它对您有所帮助。

    总之,尽管 LM25149的驱动电阻(2倍)较低,

    LM25117具有灵活的 VCC、可提高为米勒平台充电的速度。

    因此 LM25117基本上具有更好的驱动能力,对吧?

    但奇怪的是、如果 LM25149是较新版本、为什么它没有可调 VCC?

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    您好 Fred、

    没错。  LM5149在 VCC 和栅极驱动器上仅可承受5V 电压。  硅器件的高额定电压通常会增加尺寸和成本。

    希望这对您有所帮助?

    David。   

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     尊敬的 David:

    明白了,所以这是为了成本,我看到。

    BTW、LM25117的哪种封装在市场上很受欢迎并推荐?

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    您好 Fred、

    取决于市场、汽车市场通常更喜欢 WQFN。   

    David。