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器件型号：LM5156EVM-BST 主题中讨论的其他器件：LM5156
我正在研究如何修改 EVM、以测试200VDC、15VDC 输入的一些设计理念。
我正在考虑使用设置为50V 的输出、然后使用二极管/电容电压"倍压器"获得大约150V~200V 的电压。｝
输出负载只是~50pF 电容的偏置电压。 基本上没有电流消耗；最大的电流消耗将是 FB 电阻器。
我用于此应用的电源只能提供~2mA 的电流。
您是否对如何限制每次打开电感器时 MOSFET 试图通过电感器的电流有任何想法？
我看到 EVM 在原理图上有"R2"-增大此电阻并将偏置电压连接到 V_AUX (15V)是否有助于限制每个周期拉电流？
或者、将 Rs (4mΩ)增加到更大的值...这两个值都是为了减小每个周期的电流、但也是为了减小 IPEAK？
现在对 EVM 的修改：
Fsw = 100kHz (Rt = 220k)
L = 10uH
Darren
