我遇到了一个问题、即我要实现此 主题中所述的负关断偏置。 遗憾的是、尽管感应栅极电压尖峰处于负电压区域、并且可能远低于所用 MOSFET 的阈值电压(VGS (th) min = 3.0V)、但我仍然会遇到自导通事件。
我尝试关注所包含图像中的导通事件。 在 MOSFET 桥臂 进入到封装的位置进行了测量、低电感测量技术与接地弹簧和短接一起使用。 这些特定测量是针对三个相位之一的低侧 MOSFET 进行的。 高侧 MOSFET 表现出类似但不太严重的行为。 通道1是栅极电压(Vgs)。 通道3是开关节点(VDS)。
UCC5310MC 器件的米勒钳位已从起作用中移除、否则它会使10uF 电容器产生的负偏置放电。 钳位本身也不足以阻止导通事件、我已经将 CGS 电容器增加到相对较高的值。
是否有任何关于这里可能发生的事情的想法？
嗨、Don！ 感谢您的帮助。
我没有实施分离电源。 我将创建负偏置、如下面的示例和我提到的线程。 即使它不是双电源、它也会为负关断电压产生负偏置。 VEE2仍然通过一个大平面连接到 MOSFET 的源极。 器件中的虚拟节点的引用方式与 VE2不同并以某种方式使负偏置无效时、是否仍然存在问题？
10uF CZ 电容器与齐纳二极管一起工作、以生成负偏置。 这种方法是必需的、该值必须远远超过 GS 电容的总值。 将该电容器替换为电阻器将使该方法无法产生负偏置。
钳位曾经连接 到 GateHC 和 GateLC、但我按照原始帖子中的说明将其从游戏中移除。 抑制自我开启的力量不够强大、而发挥作用实际上会阻止负面偏见的形成。
考虑到所有因素、我仍然不确定负偏置为何没有帮助。
嗨、大家好、没关系。 如果有用、我们也可以将其发送到电子邮件。 下面是请求的标有"Scope"屏幕截图。 
这些都是在 MOSFET 桥臂处获取的、因为它们符合 TO-247封装主体。 因此、通道3 (蓝色)跨漏极和源极(VDS)获取。 通道1 (黄色)在栅极和源极(Vgs)之间获取。
