• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 7 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 579 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25303J：PCB 布局设计评论

admin
Guru**** 2507765 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1133491/bq25303j-pcb-layout-design-review

器件型号：BQ25303J

您好！

请查看我的 PCB 布局。

由于 在底层倒流后难以看到布线和元件、我尚未制作接地多边形覆铜来连接所有接地连接。

谢谢、

Andres Perez  

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    安德烈斯、您好！

    原理图审阅：

    1.确认4.2 充电电压限制 和2A 充电电流。

    布局回顾：

    1.我会尝试看看您是否可以将 PMID 电容器移到更近的位置。 这可能需要将 BTST 电容器向右移动一点。

    请务必将 REGN 电容器尽可能靠近引脚放置。 STAT 引脚的过孔的放置优先级低于 REGN 电容器的放置。

    此致、

    Mike Emanuel

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mike：

    是、在充电电流为2A 时确认充电电压为4.2。

    以下是我所做的更改。

    请查看这是否会更好、或者是否仍有更改需要进行。

    谢谢、

    Andy

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy：

    您还可以将 VBUS 电容器移至更靠近 IC 的位置。 无需在电容器左侧的 PMID 上添加所有额外的覆铜。

    此致

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Michael、

    这看起来更好吗？

    谢谢、

    Andres Perez

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    确实是的！

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Michael、您能说现在一切都好吗？

  • 0
    TI__Guru**** 2507765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    安德烈斯、您好！

    唯一的改进空间是尽可能使用更小的电容器。 请与 BMS005 REV A 进行比较。一些电容器的尺寸似乎大于我们在 EVM 上使用的电容器尺寸。

    此致、

    Mike Emanuel