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[参考译文] LM5060：设计审查

admin
Guru**** 2507255 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1133378/lm5060-design-review

器件型号：LM5060

大家好、

客户将该器件用作高侧 NMOS 开关。

但是、高侧输出不会打开 NMOS。  OVP、UVLO、EN 和上的电压均正常、但 nPGND 和计时器大约为5.5V。
他们尝试将计时器电容器增加到1uF、但这不起作用。 当定时器引脚连接到 GND 时、NMOS 在无负载时打开、但 当连接高容性负载时、输出 电压没有上升到3.5V 以上。

我希望您可以进行检查。 感谢你的帮助。

此致、

Marvin

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好、 Marvin、

    请删除 R1并检查一次。 它可能会加载栅极。

    此致、

    Rakesh

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好、Rakesh、

    客户移除了 R1 、就正常工作了。 但是、MOSFET 损坏并导致恒定负载导通短路。

    客户正在55V 电池和电机 ESC (电子速度控制)电路之间构建一个保护开关。 测试时、电池的电压大约为49V。 ESC 具有高输入电容和6x470uF 电容器、因此在启动时存在高浪涌电流。

    他们在没有负载的情况下尝试切换开关、这种功能在2.5ms 上升时间内非常出色。 为了检查浪涌是否是问题、他们还向 ESC 添加了48 Ω 串联电阻、并测量了4ms 的上升时间、开关正常工作。

    为了增加 MOSFET 上升时间、是否应在浪涌中限制栅极电阻和电容的变化？

    此致、

    Marvin

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好、Marvin、

    在负载启动进入大电容时、流经 FET 的总电流将为=为输出电容充电的浪涌电流+负载电流。 该电流乘以不同的输入和输出电压将在 FET 中产生功率损耗(=(iCAP + ILOAD) x (Vin-Vout))。 如果功率耗散大于 FET 可以处理的功率(安全工作区)、则 FET 可能会损坏。

    在这里、我们建议考虑以下因素、

    1. 在 FET 栅极与 GND 之间串联一个 R 和 C。 这些组件将形成 dVdT 电路并限制启动期间的浪涌电流。 您可以从 R1 = 10欧姆且 Cdvdt = 47nF 的值开始
    2. 仅在 Vout 斜升至 Vin 后启用负载。 这将从启动期间的 FET 功率损耗中移除 ILOAD 组件。  
      1. 成功启动后、Vout 将为= Vin、这意味着 FET 上的电压约为0V、因此 FET 中的功率耗散将非常低(= Iload2Rds (on))。

    确保 FET 功率损耗在 FET SOA 范围内至关重要、以确保 FET 不会损坏。  

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好 Praveen、

    感谢您的推荐。

    我对输出电阻器-原理图中的 R9还有其他问题。 这是需要还是可以删除？ 我认为、当电池断开时、由于高输入电容、ESC 上存在足够的电压时、这一点可能很重要。 这些情况发生在手动断开电池或触发过流且 BMS 关闭电池时。

    此致、

    Marvin

  • 0
    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好、Marvin、

    需要根据以下公式计算 R9的值。