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[参考译文] TPS54160:TPS54160DGQR

Guru**** 2511415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1135172/tps54160-tps54160dgqr

器件型号:TPS54160

您好!

这与 MPN - TPS54160DGQR 有关

我的要求是- 6-36V -输入、5V 和1A -输出、环境温度- 85摄氏度、开关频率- 450-550KHz

您能否根据以上要求向我提供以下数据:

高侧 MOSFET 漏源导通电阻

2.低 侧 MOSFET 漏源导通电阻

高侧 MOSFET 栅极电荷。

低侧 MOSFET 栅极电荷。

5.降压 IC 生成的稳压内部电压。

6.降压 IC 内部稳压器的外部电源输入。

7.降压 IC 内部 MOSFET 的上升时间

8.降压 IC 内部 MOSFET 的下降时间。

此致、

Ajay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ajay、

    感谢您发帖。  IC 内部只有一个高侧 FET。 其 Rdson 显示在数据表 EC 表中。 在这里、我复制并粘贴以供您参考。

    内部 FET 的栅极电荷以及上升和下降时间没有特性、因此没有可供共享的数据。  我对项目5和6感到困惑。 您能清楚吗?

    谢谢、

    Youhao