[参考译文] LM25148-Q1：MOS 的要求是什么？

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器件型号：LM25148-Q1
主题中讨论的其他器件： CSD18511Q5A、 LM25149-Q1EVM-2100、 CSD18503Q5A、 LM25148、 LM25149、 LM25149-Q1

大家好、

题目是 MOS 的要求是什么？我们是否有一些推荐的 mos？谢谢！

Jiawei

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、Jiawei、

对于任何 MOSFET、您肯定需要确保阈值电压 VGS (TH)小于栅极驱动器电压。

LM25148-Q1的栅极驱动为 VCC 或5V。

对于 =高频设计、您希望通过最大程度地减小栅极电荷 Qg 来最大程度地降低开关损耗、而不会因导通损耗而牺牲过多的 RDSON。

LM25149-Q1EVM-2100使用 IAUC60N04S6L039。您还可以使用 CSD18503Q5A 和 CSD18511Q5A。

您可以使用 WEBENCH 生成设计和推荐的 MOSFET。

希望这对您有所帮助、

－奥兰多

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、奥兰多、

感谢您的回复！请帮助查看随附的原理图、谢谢！

e2e.ti.com/.../DC_2D00_DC_2D00_LM25148.pdf

Jiawei

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、Jiawei、

单相上的15A 电流可能导致更大的温度上升、您的环境温度是多少？

5mΩ ISNS 电阻器将峰值电流限制设置为12A、不会产生15A、您应使用3mΩ Ω 分流器将峰值电流限制设置为20A。

您可以为 VDDA 使用一个0.1µF μ F 电容器。

LM25148将具有内部自举二极管、因此您无需使用外部二极管、除非您需要。

请确保 C1799、C1800和 C1801具有足够的 ESR 来抑制输入滤波器谐振。

我找不到该电感器、但请确保它不会饱和。

其他一切对我来说都很好！

－奥兰多

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、奥兰多、

感谢您的回复！客户计划使用 SiR422DP MOSFET、我查看了其数据表、认为还可以、但想与您再次核对、谢谢！

e2e.ti.com/.../sir422dp.pdf

Jiawei

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、Jiawei、

MOSFET 看上去一切正常！请参阅随附的快速入门计算器。

e2e.ti.com/.../LM25148_2D00_Q1-Quickstart-Calculator_5F00_SiR422DP.xlsm

－奥兰多

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好、奥兰多、

我使用 SiR422DP mos 测试了 LM25149 EVM、并将开关频率从2.1M 更改为440kHz、但我的理由是、如果输出电流大于6A (如7A)、则输出电压不是3.3V、仅为2.8V。输出电流越高、输出电压越低。

您能解释一下吗？ COMP 网络不适合吗？如何判断一个 mos 是否适合2.1M 频率？谢谢！

BR
Jiawei

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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此外、如果我们希望 LM25149能够输出15A 电流、需要在 EVM 中修改哪些位置？

Jiawei

0 admin 2 年多前

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您好、Jiawei、

如果您降低了频率并且未更改电感器、则电感器 pk-pk 纹波电流 ΔIL 将非常大并达到峰值电流限值。

电感器峰间纹波电流为 ΔIL = T_ON *(VIN-VOUT)/L

此外、T_ON =(VOUT/VIN)/F_SW

峰值电流限制由电流感应电阻器和电流感应阈值设置。

LM25149-Q1上的60mV 阈值和 EVM 上的 μ 5mΩ 将电感器峰值电流限制设置为12A。

您需要重新调整电感器的大小、使其达到440kHz。

对于15A、您还需要重新调整电流感应电阻器 R11的大小以更改峰值电流限制。

我建议使用快速入门计算器更新设计。

希望这对您有所帮助、

－奥兰多

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