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[参考译文] TPS56339：自举电阻与 EMI

admin
Guru**** 652440 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS56339
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046156/tps56339-boot-resistor-vs-emi

器件型号：TPS56339

您好！

     我的客户使用 TPS56339为类似产品的射频模块供电。 他们发现、增加  BOOT 和自举电容器之间的引导电阻将提高射频接收器的敏感性。  

到目前为止、它们将此分辨率提高到100Ω，μ s 射频转速敏感型提高了7dBm (从-83提高到-90)。 我无法解释为什么这种变化会产生这种结果。   请建议使用该电阻器的值有多大？ 以及该电阻器的测量方式

是否与器件 EMI 性能相关？ 谢谢。  

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    TI__Guru**** 652440 points
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    尊敬的 Yue：

    这是合理的。  自举电阻器用于降低高侧 MOSFET 的导通压摆率。  减缓 SW 上的高 dv/dt 转换将导致更低的振铃并降低总体 EMI 噪声。 这就是提高射频转速敏感型的原因。

    BRS

    卢西亚

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    TI__Guru**** 652440 points
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    尊敬的 Yue：

    正如 Lucia 所说的、BOOT 电阻器将形成一个具有 BST 电容的 RC 充电电路、以减缓高侧 FET 的导通速度、减少 SW 的振铃。 电阻越大，FET 调谐速度越慢。 但是、如果该电阻器过大、 则 BST 电容器将无法获得足够的电压来开启高侧 FET。 它也会降低 eff。 EMI 和 eff 性能需要权衡。  

    除了 BST 电阻器外，SW 引脚附近的缓冲器电路也有助于减少 EMI。

    BRS、

    年轻

  • 0
    TI__Guru**** 652440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢。  实际上、我已经建议他们使用缓冲电路。   

    BTW、您知道该电阻器的最大值是多少？ 是否有建议？  ？测试或这里有一个公式

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    TI__Guru**** 652440 points
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    尊敬的 Yue：

    很抱歉、我们没有此值、因为它会随 VIN/VOUT/负载的变化而变化、甚至布局也会影响此数据。

    建议在 EVM 上尝试。 如果没有足够大的电阻器的振铃次数，并且可以使 IC 正常工作，则无需再将其放大。  

    BRS、

    年轻