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用户6144845
LM25118EVAL:LM25118EVAL 的辐射噪声
这是一个相关问题。
你好。
尽管缓冲器产生的噪声可以降低、但当输入电压设置为30V 或更高时、输出电压会波动。
存在 VCC 压降。
正如我在上一个问题中所宣布的、缓冲电路(10Ω+ 2000p)被插入 FET Q1-Q2的栅极和 SGND 之间。
请对插入位置和常量进行评论。 
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用户6144845
LM25118EVAL:LM25118EVAL 的辐射噪声
这是一个相关问题。
你好。
尽管缓冲器产生的噪声可以降低、但当输入电压设置为30V 或更高时、输出电压会波动。
存在 VCC 压降。
正如我在上一个问题中所宣布的、缓冲电路(10Ω+ 2000p)被插入 FET Q1-Q2的栅极和 SGND 之间。
请对插入位置和常量进行评论。 
您好、user6144845
感谢您使用 LM25118并提出您的问题。
在30MHz 至1GHz 的频率范围内、开关节点的上升和下降以及任何高频振铃都会影响测量。
一种建议是通过向开关节点添加 RC 缓冲器或向 MOSFET 添加栅极电阻来降低开关节点的速度、从而缩短开通时间。 输出二极管上的缓冲器也有助于抑制任何高频振铃。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett
你好。 Garrett 先生
非常感谢您的回答。
测量 LM25118EVAL 的开关波形(TP3)时观察到振铃。
作为改进方法
在 FET Q1的源极和 GND 之间插入 CR (5至10Ω+ 1、000PF 至10、000PF)。
10Ω(5 μ F + 1、000PF-10、000PF)插入 FET Q2的漏极和源极之间。
振铃波形变化不大、表现为辐射噪声。
如果您有任何其他改进建议、请告知我们。
请显示原理图。
振铃频率约为50MHz。
谢谢你。
您好!
对于在该频率范围布局中发生的噪声而言非常重要。 应放置缓冲器、以最大限度地减小寄生电感。 通常、这是通过表面贴装器件实现的。 这些表面贴装器件应直接放置在开关器件上。 RC 缓冲器应 放置在 MOSFET 漏源极以及二极管的阳极和阴极的余弦上。
当缓冲器连接到栅极驱动器时、这会有效地增加一些阻抗、从而减慢开关节点的上升和下降时间、从而减少高频振铃。 使用 简单的栅极电阻器也可以实现同样的功能。 降低开关节点的上升和下降速度会增加开关损耗、从而影响效率。 没有办法解决这个问题。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett
您好、user6144845
感谢您使用 LM25118并提出您的问题。
在30MHz 至1GHz 的频率范围内、开关节点的上升和下降以及任何高频振铃都会影响测量。
一种建议是通过向开关节点添加 RC 缓冲器或向 MOSFET 添加栅极电阻来降低开关节点的速度、从而缩短开通时间。 输出二极管上的缓冲器也有助于抑制任何高频振铃。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett
你好。 Garrett 先生
非常感谢您的回答。
测量 LM25118EVAL 的开关波形(TP3)时观察到振铃。
作为改进方法
在 FET Q1的源极和 GND 之间插入 CR (5至10Ω+ 1、000PF 至10、000PF)。
10Ω(5 μ F + 1、000PF-10、000PF)插入 FET Q2的漏极和源极之间。
振铃波形变化不大、表现为辐射噪声。
如果您有任何其他改进建议、请告知我们。
请显示原理图。
振铃频率约为50MHz。
谢谢你。
您好!
对于在该频率范围布局中发生的噪声而言非常重要。 应放置缓冲器、以最大限度地减小寄生电感。 通常、这是通过表面贴装器件实现的。 这些表面贴装器件应直接放置在开关器件上。 RC 缓冲器应 放置在 MOSFET 漏源极以及二极管的阳极和阴极的余弦上。
当缓冲器连接到栅极驱动器时、这会有效地增加一些阻抗、从而减慢开关节点的上升和下降时间、从而减少高频振铃。 使用 简单的栅极电阻器也可以实现同样的功能。 降低开关节点的上升和下降速度会增加开关损耗、从而影响效率。 没有办法解决这个问题。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett