您好!
我想向您询问有关 UCC27517DBVT 器件的信息。
我们将检查此器件的 IN+(3引脚)和 GND (2引脚)之间的短路。
(问题)
如果在 IN+和 GND 之间施加所连接的波形、器件是否会损坏?
由于器件的电阻为 HBM4kV、如果附加波形中施加的噪声是器件击穿的原因、那么它更有可能是绝缘击穿而不是热击穿?
波形的上升时间为几纳秒、一个脉冲的宽度短至不到20ns、因此我不认为应用的热量高达 HBM4kV。
此致、
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您好!
我想向您询问有关 UCC27517DBVT 器件的信息。
我们将检查此器件的 IN+(3引脚)和 GND (2引脚)之间的短路。
(问题)
如果在 IN+和 GND 之间施加所连接的波形、器件是否会损坏?
由于器件的电阻为 HBM4kV、如果附加波形中施加的噪声是器件击穿的原因、那么它更有可能是绝缘击穿而不是热击穿?
波形的上升时间为几纳秒、一个脉冲的宽度短至不到20ns、因此我不认为应用的热量高达 HBM4kV。
此致、
Kaji-San、您好!
我同意、由于持续时间短、热量不会很高。 这违反了输入的 absmax 规格、但仅在短时间内。 通常很难确定会破坏输入 ESD 结构的时间和电压平衡。 我确实找到了一个有关闩锁测试的主题、可能有点相关、但我不确定。 我在这里附加了它、以防万一。
总之、我相信这样的波形会损坏器件。 我认为可能会超出我们的闩锁规格、并导致引脚短路的事件。 该器件的"A"版本具有更可靠的输入引脚、但由于这更多的是 ESD 类型事件、因此在这方面可能没有太大帮助。 根据 ESD 结构和数据表额定值、我实际上会怀疑下冲脉冲更有可能成为损坏此器件的原因。 我认为 HBM 没有电压下冲、因此与 CDM 相比可能更有意义。
谢谢、
Alex M.