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[参考译文] LM5060:采用二极管的反极性保护

Guru**** 649680 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060EVAL, TPS4811-Q1, LM74502, LM5060, TIDA-01167
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1137317/lm5060-reverse-polarity-protection-with-diodes

器件型号:LM5060
主题中讨论的其他器件: TPS4811-Q1LM74502

问题1. 您能否在数据表第27页上与我分享 D1、D4、D5、D6和 D7二极管的详细信息、以了解示例设计2? (器件型号很好)

问题2. 这个问题似乎是一个有关 MOSFET 的一般问题、但 我们在示例设计中挑选 MOSFET 的重要事项是什么:LM5060EVAL 设计。 例如 、我的系统要求如下所示:

工作电压范围为14V 至24V,电流最大值为13A,OVP 设置为27V 典型值 UVLO 设置为12V 典型值。

因此、在这种情况下、当我选择 MOSFET 时、我尝试尽可能将 Rdson 的分辨率保持在最低值。 当然、漏源电压和持续漏极电流始终高于运行最大电压和持续 电流。 基本上、我总是对 栅极阈值电压和 RDS (on)感到困惑。 您能不能用这些示例为我澄清这些要点? 对于哪种 MOSFET 适合我的系统、是否有任何建议?

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    您好、ZAF、

    欢迎使用 e2e!

    首先、我建议您查看我们针对您的应用推出的最新器件- LM74502、而不是 LM5060。 LM74502集成了输入反极性保护以及 UVLO 和 OV 保护。  如果需要短路/过流保护、请查看 TPS4811-Q1。  

    A1: 有关  更多详细信息、请参阅 www.ti.com/.../TIDA-01167设计。 这些二极管的额定电压比额定电流更重要、因为这些路径不承载高电流、支持100mA 至200mA 电流的二极管就足够好了。

    A2:有关 MOSFET 选择指南、请参阅数据表的"8.2.1.2.4 MOSFET 选择"部分。  

    VGS (TH)- 栅源极阈值电压-是在 MOSFET 栅极和源极上施加电压以使电流开始流入 MOSFET 通道。 此时、即使 MOSFET 允许电流流过它、MOSFET 通道的电阻也会很高。  随着 MOSFET  栅极和源极上的电压增加到超过 VGS (TH)、通道电阻增加。 在特定点之后、即使 VGS 增大、电阻也不会进一步减小。 该最低电阻称为 RDS (on)。