需要一些帮助来查看此电路。 TLV70233PDBVR 的3.3V 输出是 MCU 的电源。
在该设计中、我们烧毁了三块板的 MCU。 (MCU 的 Vdd 短接至 GND)。 MCU 损坏后、TLV70233PDBVR 似乎正常(Vin 未短接至 VOUT、VOUT 未短接至 GND)。 我们将此设计用于两个不同的 MCU、它们都已损坏、因此可能不是 MCU 问题。
如果您对出错的地方有任何想法、请告知我们。 谢谢。
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需要一些帮助来查看此电路。 TLV70233PDBVR 的3.3V 输出是 MCU 的电源。
在该设计中、我们烧毁了三块板的 MCU。 (MCU 的 Vdd 短接至 GND)。 MCU 损坏后、TLV70233PDBVR 似乎正常(Vin 未短接至 VOUT、VOUT 未短接至 GND)。 我们将此设计用于两个不同的 MCU、它们都已损坏、因此可能不是 MCU 问题。
如果您对出错的地方有任何想法、请告知我们。 谢谢。
更新:我在上一个帖子中提供了错误信息。 原理图中的器件型号应为 TLV70233DBVR。
其他信息:我们以前 的修订版使用相同的设计、但没有问题。 但我们在 旧设计中使用了 TLV70233PDBVR (在新设计中使用 TLV70233DBVR)。 从数据表中可以看出 、TLV70233PDBVR 具有输出放电电路、但在我们的设计中、EN 信号连接到 VIN、该放电电路如何影响输出? 还是稳压器的性能?
谢谢!
您好 Ke、
设计看起来不错、但可能需要获取一些有关系统信号的数据。
该器件的有源输出放电版本(P 版本)具有一个内部下拉 MOSFET、当器件被禁用时、此 MOSFET 将一个电阻器从 OUT 连接到接地、以主动对输出电容放电。 通过将 EN 驱动为低电平或将 IN 上的电压降至欠压锁定(UVLO)阈值以下来激活有源放电电路。
只要 EN 被驱动为高电平并且 VIN 处于建议的工作范围内、放电电路应该处于非激活状态。
下面比较 了 TLV702的非 P 版和 P 版在内部的区别。
我想详细了解您的系统:
在 LDO 打开或 关闭时、MCU 是否损坏?
您是否在不同的时间在系统的输入和输出信号上有一些数据? (例如启动和关断)