我的客户有一个配置、其中一个 LDO 可能会反向驱动另一个 LDO。 这两个器件具有单独的 VIN 源、其中一个器件的 VIN 源可能悬空或短接至 GND、具体取决于具体情况、而另一个器件的输出电压可能高达4.3V。
我的猜测是:
- VIN 源悬空-> VOUT 将通过导通 FET 反向驱动至 VIN、器件将上电并消耗静态电流、可能超出稳压范围、但否则将不会损坏、不会消耗过多电流或进入某些故障状态。
- VIN 源短接至 GND -> VOUT 将通过导通 FET 二极管短接至 GND、行为取决于其他器件的电流限制、但出于建模目的、我应将反向驱动 LDO 视为二极管。
这是正确的吗? 您知道吗?我们是否有导通 FET 二极管行为的模型、或者至少有一些关于合理仿真的建议?
谢谢、
Derek Payne