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[参考译文] TPS7H1101A-SP:VOUT gt;>VIN 时的行为

Guru**** 1820060 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1037585/tps7h1101a-sp-behavior-when-vout-vin

器件型号:TPS7H1101A-SP

我的客户有一个配置、其中一个 LDO 可能会反向驱动另一个 LDO。 这两个器件具有单独的 VIN 源、其中一个器件的 VIN 源可能悬空或短接至 GND、具体取决于具体情况、而另一个器件的输出电压可能高达4.3V。

我的猜测是:

  • VIN 源悬空-> VOUT 将通过导通 FET 反向驱动至 VIN、器件将上电并消耗静态电流、可能超出稳压范围、但否则将不会损坏、不会消耗过多电流或进入某些故障状态。
  • VIN 源短接至 GND -> VOUT 将通过导通 FET 二极管短接至 GND、行为取决于其他器件的电流限制、但出于建模目的、我应将反向驱动 LDO 视为二极管。

这是正确的吗? 您知道吗?我们是否有导通 FET 二极管行为的模型、或者至少有一些关于合理仿真的建议?

谢谢、

Derek Payne

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    Derek、

    我需要一些时间对此进行调查并与设计团队进行核实。

    请给我几个工作日进行研究。

    此致、

    涉水

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    Derek、

    Vout 将通过导通晶体管对 Vin 反向供电。   虽然这不是理想情况、但导通晶体管非常可靠、可以处理这种情况。  确保禁用反向供电 LDO 至关重要。

    理想情况下、在该配置中、可以使用负载开关来隔离两个电源。   我们最近发布 了 TPS7H2211-SPTPS7H2201-SP

    这些器件中的任何一个都可用于隔离冗余/冷备用 LDO。

    我正在与我们的设计团队跟进、以检查反向供电 LDO 仿真的建议。

    此致、

    涉水

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    Derek、

    在此期间、我还将检查 VFB 是否有可能超出其最大绝对条件。   VFB 绝对最大值为-0.3至 Vin +0.3V。  如果导通晶体管上的压降大于0.3V、则在浮动 Vin 情况下将超出 VFB。  如果 Vin 接地、则超出 VFB。

    这是否是一种运行条件、即禁用的 TPS7H1101A 是否会保持该状态、直到角色发生逆转?  这是冷备件/冗余用例吗?

    此致、

    涉水

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    涉水、

    这是一个冷备件案例、但据我所知、   在角色被撤销之前、可能需要几个小时。

    目前的设计没有任何负载开关。 这是一个选项、但我们 首先要检查是否可以省略(成本更低、无电路板重新制造等)。

    关于 VFB 到 Vin 限制、我的想法是:

    • VIN 源悬空-> VIN 通过导通晶体管的内部二极管上拉至 VOUT、VFB 从 Vout 分压、因此这可能很好、但可能是短路瞬态
    • VIN 源短接至 GND 或远低于 VOUT  ->反馈路径电阻器将限制流经 VFB 上 ESD 的电流

    这有道理吗? 无论在哪种情况下、 我都怀疑 VFB 不会是问题、但如果 ESD 结构出现意外情况或我只是遗漏了一些东西、我会听从您的专业知识。

    此致、

    Derek Payne

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    对于 Vin 浮动情况、我认为您是正确的、FB 处的电压应低于 Vin。

    接地情况下的电压。  无论电流限制如何、这都将违反绝对最大值条件。  我们没有允许在有限电流下弛豫的 IIK 规格。

    来自设计的反馈是、适当尺寸的3A 二极管应该足以进行建模。  我们没有可用的模型。

    如果这回答了您的问题、请单击"此已解决的我的问题"
    此致、
    涉水