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[参考译文] UCC28782EVM-030:UCC28782 XMFR 功率损耗

Guru**** 649970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1159062/ucc28782evm-030-ucc28782-xmfr-power-loss

器件型号:UCC28782EVM-030

你好

我们制作了 xmfr 40:8:8

它应该已经将 Bac 降低了60%、因此希望能降低直流偏置值。

但它没有采取任何措施来降低内核温度。 我们运行了100W ...当内核温度上升到130摄氏度时停止

温升不是由 B 引起的、似乎也不是由 HDC 引起的。

在本例中为。 我们实验室中的快速周转 xmfr 得到了1.6倍的 DCR!

这可能解释了为什么温度保持不变(如果不是更高)。

我们是否应该使用与25:5:5案例中相同的 DCR?

只有我们才能判断接近或涡流损耗是否是主要的因素。 后一种情况意味着磁芯材料不是电源...但我认为它是 EPCOS N87 ...

任何评论都将受到高度赞赏。

R

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    Robbin 您好!  

    这似乎是同一标题上一个帖子中温度上升问题的重复帖子。
    我很感谢此处提供的其他信息、但我更愿意关注另一个主题。  

    正如您的电阻测量结果所示、我认为过热是由间隙产生的宽边缘磁场所导致的涡流损耗引起的。  

    我要将此文本复制到上一个线程并关闭此线程、以避免混淆。   请勿回复此帖子、因为它只会再次打开该主题。  

    谢谢、此致、
    Ulrich