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[参考译文] CSD17382F4:数据表拼写错误?

Guru**** 1122710 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025889/csd17382f4-data-sheet-typo

器件型号:CSD17382F4

在规格的"动态特性"部分-第3页-时序值以"ns"形式列出、例如上升时间= 111ns。 这可能是"ps"吗?

谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Bob、您好!

    感谢您关注 TI FET。 CSD17382F4数据表正确。 该 FET 具有相对较大的内部栅极电阻、典型值为220Ω Ω、这会减慢其开关速度。 我们的大多数较小器件(如 FemtoFET 和 WLP)都已针对开关速度不那么关键的负载开关和电池保护等"静态"开关应用进行了优化。 TI 还有其他 FET、采用相同尺寸、具有较小的 RG、开关速度更快。 例如、CSD17381F3典型 RG 为23Ω μ A、开关速度快得多。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用