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[参考译文] BQ77915:BSS214NH6327是合适的 MOSFET 吗?

Guru**** 1122710 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915, CSD17382F4, CSD17483F4
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980867/bq77915-is-bss214nh6327-the-right-mosfet

器件型号:BQ77915
主题中讨论的其他器件: CSD17382F4CSD17483F4

大家好、

你好。

根据器件数据表、 必须在阈值电压低于1.7V 的情况下选择要使用的外部 MOSFET

BSS214NH6327是否满足此要求? 以下是器件数据表的链接。
www.mouser.ph/.../

提前感谢!

艺术

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Art:

    对于电池平衡、电池的输入会一起拉在一起、如 BQ77915数据表的图9-1所示。  当与图9-3等电路进行平衡时、这会为外部 FET 的栅极电压提供大约1/2的电池电压。 对于平衡 FET、您希望在开始平衡时将 RDSON 指定为电池电压的一半或更低。 对于3.4V 下的平衡、需要使用 RDSON 为1.7V 的 FET。  如果您找不到这样的 FET、则必须考虑在阈值以下运行、并通过典型值测试预测运行情况、以确保电路具有足够的性能。

    建议的 FET 显示了额定电压为2.5V 和4.5V 的 RDSON、因此它不是立即选择。  查看典型性能曲线、图 6典型值。 漏源导通电阻显示了2.2V Vgs 时的曲线。  图 6典型值 漏源导通电阻显示 FET 在大约1.5V 时开始导通、该电压随着 FET 的温度升高而下降。  对于低电流、它可能适用于 FET 的良好散热、但可以指定较低的 RDSON FET。  

    TI 具有一些小型 MOSFET、例如 CSD17483F4和 CSD17382F4的 RDSON 规格为1.8V Vgs 、如果在3.4V 时开始平衡、则同样不理想、但要小于2.5V Vgs。  查看 图3。 数据表中的传输特性显示、这两个器件通常都在低于1.5V 的电压下导通、而 CSD17483F4在较低电流下显示了更多详细信息。   如图7所示。 导通状态电阻与栅源极电压间的关系曲线都显示 RDSON 迅速增加到2V 以下、此处 CSD17382F4似乎具有优势。

    找到理想的 FET 可能是一项挑战。  使用您喜爱的经销商或 FET 供应商处的搜索工具、查找合适的选择。  由于许多器件仅在特定的常见 Vgs 值下显示 RDSON、因此您可能需要在更仔细地检查低电压下的 RDSON 之前、在电流范围和封装类型中搜索低阈值电压器件、以查找可能的器件。

    希望这对您有所帮助。