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[参考译文] TPS2411EVM-096:输入/输出电容效应

Guru**** 651100 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2411, TPS2410
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996123/tps2411evm-096-input-output-capacitance-effects

器件型号:TPS2411EVM-096
主题中讨论的其他器件:TPS2411TPS2410

大家好、  

希望一切顺利、  

我正在与客户合作评估用于电源 ORing 功能的 TPS2411。 他们使用 EVM 在现有设计上进行测试、以替换二极管 ORing 电路。  

最小负载~820mA 在+5Vdc 时、负载在加电/断电之外是静态的。 标称负载1.14A、最大1.58A

他们正在寻求有关 Rset 值和输入/输出电容的一些建议:  

我们最初认为、RSET 的目标电压为10mV、因为它将传递~1A 的反向电流。 这可能对470uF 保持电容和其他转换器的影响最小。 但是,考虑到它是5V 电源轨,触发麻烦将是一个问题。 您能否检查 Rset 值并告知是否有更好的值? 您是否有任何关于防止干扰触发的建议?  

我们的主要关注点是电路板线路和负载电容对电路板运行有何影响,因为它并不代表我们的架构。 理想情况下、我们将对 Eval 进行分类。 电源上的电路板、以替代现有二极管 OR-ing 拓扑、从而进行分接。   

以获取 o/p 电容、数据表显示 TPS2410大于100uF。 进行了比较。 它是200uF。 考虑到 o/p 的值是“或”,为什么200uF? 我们的本地输出电容为470uF。 因此、除非我们修改 Eval、否则组合电容不具有代表性。 并卸下200uF。 请告知、您是否要更换电路板上的电容器/额外的电容是否会对 TPS2411的功能产生任何不利影响?  

谢谢、此致、  

Dan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Dan、您好!

    对于5V、1.6A Oring、正确的解决方案是使用 LM73100。  

    LM73100集成了背靠背 FET、具有2.7V 至23V 的宽工作输入电压范围、 电流范围为0.5A 至5.5A

    与 TPS2411 +外部 FET 相比、集成解决方案的成本将会更低。   

    关于您在 TPS2411上的问题、

    1. 仅 TPS2410需要输出 C 端子上的最小电容要求 、TPS2410使用内部线性误差放大器来防止外部 MOSFET 在轻负载时饱和。 TPS2411具有 开/关栅极控制、因此没有最小输出电容器要求的规格。
    2.  避免误触发所需的最小线路和负载电容完全取决于您的负载分布、布局和路径电感。 因此、建议在实际电路板上进行测试、并在所有系统级条件下进行测试后确定所需的电容。
    3. Rset 值使用以下公式对 V (off)阈值进行编程、触发反向阈值所需的电流大小取决于 FET Rdson。 降低设定阈值会降低由于噪声而导致误跳闸的可能性、但反向阈值跳闸所需的反向电流会更高。