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器件型号：CSD19537Q3 你好。 我对结至外壳的热阻参数有疑问、该参数在1.5°C/W 下指定
注释指出：
该器件 RθJC 在1.5英寸×1.5英寸(3.81cm×3.81cm)、0.06英寸(1.52mm)厚的 FR4 PCB 上将其安装在1平方英寸(6.45cm2)、2盎司(0.071mm)厚的铜焊盘上。 RθJC 由设计指定，而 RθJA 由用户的电路板设计决定。 (2)安装在 FR4材料上的器件、厚度为1平方英寸(6.45cm2)、2盎司(0.071mm)铜
我谨确认我对第一项说明的解释。 我的解释如下：
1) 1) TI 已使用注释1中引用的测试条件推导(测量) 1.5°C/W 的结至外壳参数。
2) 2)" RθJC 由设计指定"是指针对 MOSFET 设计指定的、而不是针对电路板设计：因此、我得出结论： 对于所有电路板设计 、1.5°C/W 的结至外壳参数是恒定的、而 RθJA 因电路板设计而异。
您能确认我的理解吗？
应用中。 我们使用 FIR 摄像头测量负载下 MOSFET 的外壳温度、然后我们希望使用 RθJC 来根据 MOSFET 功率耗散计算结温。
谢谢、Charie。
