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[参考译文] TPS54560B:关于输出电压28.8V。 100%运行。

Guru**** 2007920 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54560B, TPS54560EVM-515
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/886110/tps54560b-about-output-voltage-28-8v-duty-100-operation

器件型号:TPS54560B
主题中讨论的其他器件: TPS54560EVM-515
你好。

我对 TPS54560B 有疑问

输入:40V-26.3V (停止序列)
输出28.8V 4A
占空比:接近100%。
EN 引脚:4V (高于使能阈值电压)
TPS54560B 的 HS-FET 停止开关。
为什么会发生这种情况?
谢谢你。
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    你(们)好  

    我无法读出 BOOT-SW 电压,是 Ch4= VBOOT-VSW 还是仅 VBOOT,它的零点在哪里?

    TPS54560B 100%工作时,需要在 Boot 和 SW 之间提供足够的电压。 对于您的情况、我怀疑 BOOT 和 SW 之间的电压会降至 Boot UVLO、这会导致高侧 FET 关断。

    谢谢

    李丹尼尔

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    您好!

    BOOT-SW 电压为 CH4 = VBOOT-VSW。

    通道4:5V (高于 UVLO)

    谢谢

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    你(们)好  

    感谢您的波形。

    1.在 DS 中,引导刷新电路的说明如下。 当 Vo 下降到时、它可能会起作用  

    '当在输入到输出的低电压差下运行时、只要 BOOT 到 SW 引脚的电压大于2.1V、TPS54560B 的高侧 MOSFET 就以100%占空比运行。当 BOOT 到 SW 的电压降至2.1V 以下时、 高侧 MOSFET 关断、集成低侧 MOSFET 将 SW 拉低、以便为引导电容器充电。 为了降低小型低侧 MOSFET 在高输出电压下的损耗、该器件在24V 输出下禁用、并在输出达到21.5V 时重新启用。"

    2.您是否有 VIN UVLO 电路? 当 Vin 下拉至特定电压时、我看到 Vo 完全关断。  在 SW 异常点是否启用和禁用 Vin UVLO?

    谢谢

    李丹尼尔

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    您好!

    感谢您的快速回复。

    >1. 在 DS 中、引导刷新电路具有以下说明。 当 Vo 下降到时、它可能会起作用
    >"TPS54560B 的高侧 MOSFET 在输入到输出之间的低电压差下运行时、只要 BOOT 到 SW 引脚的电压大于2.1V、就会以100%的占空比运行。当 BOOT 到 SW 的电压降至2.1V 以下时、 高侧 MOSFET 关断、集成低侧 MOSFET 将 SW 拉低、以便为引导电容器充电。 为了降低小型低侧 MOSFET 在高输出电压下的损耗、该器件在24V 输出下禁用、并在输出达到21.5V 时重新启用。"

    我们的情况如下:
    (1) BOOT 至 SW 引脚电压为5V、在 SW 异常点大于2.1V。
    (2) Vin 引脚电压为25V。

    为什么小型低侧 MOSFET 在我们的情况下起作用?
    我们认为小型低侧 MOSFET 在 SW 异常点不起作用。

    >2.您是否有 VIN UVLO 电路? 当 Vin 下拉至特定电压时、我看到 Vo 完全关断。  在 SW 异常点是否启用和禁用 Vin UVLO?

    我们没有 Vin UVLO 电路。
    我们只有 TPS54560B 的内部 UVLO。
    在坏点:
    (__LW_AT__Vin=25V)>(__LW_AT__内部 UVLO=4.48Vmax)
    ※我们确认输入电压大于25V。
    我们认为 UVLO 在 SW 异常点不起作用。

    谢谢

    Akinari Takada

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    您好:

    是否可以共享电感器电流波形? 高侧异常点是否存在某种负载瞬态?

    谢谢

    李丹尼尔

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    您好!

    感谢您的快速回复。

     波形就像这样。

    CH3是电感器电流。

    波形:

    谢谢

    Akinari Takada

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    您好!

    请提出更多问题。

    低侧 FET 是否在输入电压为25V 且 Vboot 至 VSW 为5V 的条件下工作?

    如果低侧 FET 在输入电压为26V 或更高时将 SW 拉低、结温是否超过热跳闸阈值?

    谢谢

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    你(们)好

    我们将修改电路板,查看是否可以找到一些东西。

    谢谢

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    你(们)好

    您是否能够使用修改后的电路板重新创建问题?

    谢谢

    Akinari Takada

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    你好 Takada、

    我们正在努力向您提供有关该问题的最新信息。

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    您好!

    修改后的 TPS54560EVM-515在28.8V 电压下出现问题。

    输出电流为3A、当我们将输入电压从40V 降低时、这个问题会在25.8V 左右重现。

    下面显示了有问题的电路图和波形。

    此行为未写入数据表。

    有 TPS54560B 存在此问题、但没有。

    我们认为这是您的设计错误。

    无论如何,这对我们来说是一个严肃的问题,因此我们强烈要求你尽快解决这个问题。

    谢谢

    Akinari Takada

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    你(们)好

    我将根据以下修改验证 EVM。 当输入电压为27V 时、内部下拉 MOSFET 将切换其工作状态、从而使 Vo 在2A 或0A 时下降。   

    CH1=SW、CH2=Vo、CH3=引导

     

     当我们在 SW 和 Boot 之间添加恒定4V 电压时、它将解决该问题。 因此、此问题是由输入电压=27V 和输出电压 Vo 压降条件下的内部引导再充电电路激活和取消激活引起的。  

    CH1=SW、CH2=Vo、CH3=引导

    您可以在 下面的应用手册中找到改进引导电路的方法。

    谢谢

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    你(们)好

    感谢您的回复。

    当我们在 SW 和 Boot 之间使用外部电压添加4.6V 电压时、它无法解决问题。

    出现问题的波形如下所示。

    当 Vin=27V、VO 压降条件和 Vboot-SW≧4V 时、内部引导再充电电路是否激活?

    谢谢

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    你(们)好

    根据我的 EVM,它在27Vin 有问题。 在低输入电压条件下、您是否能看到任何脉冲?  我添加了4V、因此 SW 和引导电压将约为3.5V。  

    从您的波形可以看出、您将输入电压保持在27V、对吗? 您能否共享您的电子邮件地址?我们可以通过电子邮件进行讨论

    谢谢

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    你(们)好

    我将关闭此问题、并在电子邮件中进行讨论。

    谢谢