团队、
数据表中的说明表明、如果 CIS 高于200pF、则使用10欧姆的栅极驱动电阻器。 我们选择的 MOSFET 是 FDP036N10A、它具有非常大的 CIS (5485pF)。 对于这种尺寸的 MOSFET、是否需要具有更低的栅极驱动电阻?
我们的第二个查询与我们看到的意外关闭有关。 FET 完全增强后、我们的系统开始消耗功率、我们观察到 FET 上的栅极意外下降。 这不是在其他情况下看到的硬关闭。 栅极需要大约1.5ms 才能下降到电流关断的点。 您对这里可能发生的情况有什么建议吗?




