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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/962995/tps56637-boot-strap-cap-value-range
大家好、
我的客户希望知道 FET 可导通的容量下限、即使直流偏置会降低容量。 您能告诉我安全需要多大的有效价值吗？
此外、我想知道上限值、因为容量过大可能会导致问题。 如果可能、请告诉我 TPS56637的高侧 FET (Ciss)的栅极输入电容。
此致、
Takashi Onawaw
你好、Takashi-San、
抱歉。 在本主题中、我们没有引导电容器的上限或下限值。 我们也可能无法提供 TI 机密的 Ciss 值。
对于引导电容器、建议遵循 TI 数据表和 EVM 用户指南。 我们使用建议值进行了大量验证。
谢谢、
Lishuang
您好，Lishuang-san，
感谢您对这一问题的迅速阐述。
好的、我知道我们无法在内部 FET 上提供此类过程信息。
有关数据表建议的信息。 数据表显示如下、但考虑到直流偏置、没有关于有效值的说明。
我知道很难详细说明、但我们能否得到一些有关下限的更详细的评论？
BOOT 和 µF 引脚之间必须连接一个0.1 μ F 陶瓷电容器(C4)、以确保正常运行。 TI 建议使用 X5R 或更优等级电介质的陶瓷电容器。 电容器必须具有10V 或更高的额定电压。
Takashi Onawa
你好，Onawa-San
额定电压为10V 的常用0.1uF 电容应该足够了。 客户为何要求此最小-最大范围？
Gerold
Gerold-San、您好！
最近、由于供应商的策略、陶瓷电容器变得越来越小、而由于尺寸减小、在相同的电压电平下、有效值也越来越小。
由于直流偏置特性也与电容器的尺寸有关、因此除非您指定有效电容范围、否则无法查看设计细节。
关于数据表建议、
' BOOT 和 µF 引脚之间必须连接一个0.1 μ F 陶瓷电容器(C4)、以确保正常运行。 TI 建议使用 X5R 或更优等级电介质的陶瓷电容器。 电容器必须具有10V 或更高的额定电压。"
我检查了两个电容器、一个是 GRM033R61A104KE15、另一个是 GRM033C81A104KE14。 它们都是 X5R、10VDC、0603。 5V 直流偏置下的有效电容约为50nF。 因此、根据此建议、较低的有效值不应低于50nF。 但这只是计算值、而不是 理论上的保证值。
感谢您对此做出及时响应。
好的、我将尝试通过信息来关闭此项；0.1uF - 50%应该是可以的、因为我们在 EVM 上检查了它。
