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器件型号:CSD17571Q2 您好!
我担心 MOSFET 的温度升高。
示例:
温度= 25格勒
我驱动一个功率电阻器、使用单个脉冲、TON=300ms;电流为7A。
从数据表中、我提取 Zth=0、2*190=38K/W、RDS=24m Ω。
MOSFET 的功率耗散=7*7*024=1,176W
这意味着温度增加了1,17*38=45K
无论如何、在导通脉冲期间、RDS 会因 温度而相应增大。
但我在考虑 RDS@25=24m 的情况下计算了功率耗散。
这是可以的吗? 热阻抗图是否已经考虑了导通脉冲期间 RDS 的增加、或者我应该应用降额因子?
感谢您的回答!
此致、Gheorghe