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[参考译文] CSD17571Q2:MOSFET Zth

Guru**** 633810 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963305/csd17571q2-mosfet-zth

器件型号:CSD17571Q2
您好!
我担心 MOSFET 的温度升高。
示例:
温度= 25格勒
我驱动一个功率电阻器、使用单个脉冲、TON=300ms;电流为7A。
从数据表中、我提取 Zth=0、2*190=38K/W、RDS=24m Ω。
MOSFET 的功率耗散=7*7*024=1,176W
这意味着温度增加了1,17*38=45K
无论如何、在导通脉冲期间、RDS 会因 温度而相应增大。
但我在考虑 RDS@25=24m 的情况下计算了功率耗散。
这是可以的吗? 热阻抗图是否已经考虑了导通脉冲期间 RDS 的增加、或者我应该应用降额因子?
感谢您的回答!
此致、Gheorghe
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    您好、Gheorghe、

    感谢您关注 TI FET。 瞬态热阻抗曲线基于功率耗散而不是电流。 导通电阻的温度变化与数据表中的曲线并不实际相关。 您的功率耗散计算应考虑导通电阻的温度变化。 将 I2R 损耗乘以数据表图8中显示的 FET 工作温度下的标准化导通电阻。 例如、在100摄氏度且 VGS = 4.5V 时、标准化因子约为1.4。 这样可以更好地估算功率损耗。

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    尊敬的 John:  

    无论如何感谢您的回答! 但我没有说瞬态热阻抗曲线基于电流!

    我仍然不清楚、因此我将重复我的计算、我将再次问我的问题:

    温度= 25格勒;TON=300ms、单脉冲;I=7A
    从数据表中可以看出:Zth=0、2*190=38K/W、RDS=24m Ω、最坏情况;
    P_LOW=7*7*0,024=1,176W;
    Δ 温度=1、17*38=45K;
    final_temperature = 25 + 45 = 70格勒。
    在上面的示例中、我认为功率损耗在整个导通脉冲期间是恒定的、1、176W! 但在脉冲结束时、RDS 将为1.3*24=31.2m Ω、P_Loss 将为7*7*0.03112=1.53W、不再为1.176W。 这意味着、P_Loss 将在脉冲的开始和结束之间以线性或相似的方式从1.176W 增加到1.53W。
    问题:是否可以考虑初始 P_Loss (1.176W)、如上述示例中所示? 这是我主要关注的问题。
    我希望我清楚地提出我的问题。
    此致、Gheorghe
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    您好、Gheorghe、

    对任何混淆表示歉意。 正确的是、由于导通电阻随着器件自热而升高、功率耗散将增加。 我的方法是假设导通电阻处于最大值、这是由于整个脉冲期间的温升所致。 这是最坏的情况、可能会高估结温上升。 另一种方法是在结温较高时对开始处的损耗(其中 FET 温度较低)与脉冲结束处的损耗求平均值。 例如、使用(1.176W + 1.53W)/2进行计算。这假设 RDS (on)呈线性增加。 我只想确保您不低估温度上升。