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[参考译文] CSD25402Q3A:为我的应用寻找合适的 MOSFET。

Guru**** 1640390 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A, CSD25404Q3, CSD16570Q5B, CSD17570Q5B
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963666/csd25402q3a-looking-for-the-right-mosfet-for-my-application

器件型号:CSD25402Q3A
主题中讨论的其他器件: CSD25404Q3CSD16570Q5BCSD17570Q5B

大家好、
我正在设计一个电池供电系统、其输入充电电流最大约为10A、放电电流最大为40A。
40A 电流仅持续几分钟(最多10分钟)、但另一时刻的预期电流为10-15A (最多1小时)。
我的应用中、我将需要 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。
 CSD25402Q3A 的最大电流为76A。
但是、这样的小型器件如何在不损坏自身的情况下处理如此大的电流?
我所需的漏极电压为12.8V  
此外、我如何设计热散热器来有效地传输此类 SMD 组件的热量?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shibin、

    感谢您关注 TI FET。 请参阅以下链接中的博客。 FET 数据表中76A 的最大额定连续电流是一个计算值、并假设器件的情况可以保持在25°C。 这意味着"无限"散热器。 从实际角度来看、器件可导通的最大电流受功率耗散和最高结温的限制。 对于这种3x3mm SON 封装、最大功耗约为2.5W、具体取决于 PCB 布局和层叠。 下面是一篇技术文章的另一个链接、其中提供了 TI FET 按封装分类的"经验法则"功耗。 任何大于大约100ms 的脉冲宽度都被视为连续、并且40A 持续10分钟是连续的。 TJ = 150C 时40A 时的 CSD25402Q3A 功率耗散将接近21W、这是不可能的。 对于40A、您需要并联3至4个 P 沟道 FET。 我们还有另一个导通电阻较低的器件 CSD25404Q3、但您仍需要并联至少3个 FET。 此外、请记住、在12.8V 栅极-源极电压下运行时、VGS 绝对最大额定值超过+/-12V。 如果超过数据表中的绝对最大额定值、TI 不保证其可靠运行。

    散热这些 SMT 封装的主要路径是通过底部的散热焊盘进入 PCB。 散热过孔用于将热量分散到 PCB 的内层和另一侧。 应用散热器是可能的、但并不总是实用的。 通过塑料封装顶部的热阻抗要高得多、散热效果不是很好。

    您能否在您的应用中将 N 沟道器件用于充电和放电 FET? 建议使用 CSD16570Q5B (25V)或 CSD17570Q5B (30V)作为 FET。 但是、您需要提供至少比输入电压高4.5V 的栅极驱动电压来驱动 FET。

    如果您有任何疑问、请查看并告知我。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-3