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[参考译文] UCC24636:RVPC、RVSC

Guru**** 612015 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24636
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/938848/ucc24636-rvpc-rvsc

器件型号:UCC24636

我们的客户 考虑使用具有偏置绕组的高侧 SR 配置的 UCC24636。

请检查随附的文件夹并告知 RVPC、RVSC。

e2e.ti.com/.../UCC24636.xlsx

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    Kura-San、您好!

    感谢您关注 UCC24636 SR 控制器。

     根据高侧 SR 配置公式、随附文件中电阻计算的原始值看起来是正确的。
    我无法确定为什么器件使用所提供的信息时运行不正常。

    对于 IO = 0A 的情况、器件正常运行。  由于开关频率< 5kHz (12.8ms 内< 64个脉冲)、它已进入待机模式。
    对于 IO = 1.2A 和3A 的情况、器件未按预期运行。

    我想知道实际的客户电路是否将 VPC 和 VSC 引脚连接混合在一起。
    您能否提供 SR 电路的客户原理图以及 Rb、CVDD 和 Cvsc 的值(如.xlsx 文件中的图2所示)。

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich - San

    感谢您的支持。

    我们获得 了客户电路信息。我们会将此信息发送给您。

    请 告诉我们您的地址。

    此致、

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    Kura-San、您好!

    从发送的文件中、我看到 VSC 和 VPC 连接正确。  我还看到 VSC 电容器的位置保持开路(值= 0)、尽管原理图中显示了该位置。  我认为 开关噪声可能会耦合到 VSC 输入并加快内部斜坡、从而导致栅极驱动脉冲短路。  

    我建议您在 VSC 与器件 GND (Cvsc=C57)之间添加一个1000pF 电容。  

    我还看到、除了实际的 MOSFET 栅极之外、C58是栅极驱动输出上的1000pF 容性负载。  我不知道为什么添加了它、但我建议将其删除或将其减少到100pF、至少用于测试目的。

    另一个建议是在 R61上添加一个22pF 电容(VPC 到器件 GND)、以防噪声影响 VPC。  电容过大将延迟 SR 的开通、但这现在不是问题。 可以稍后减少。  

    主要目标 是首先获得合理的宽且一致的栅极驱动脉冲、然后在稍后调整时序以实现最佳性能。

    最后、确保 VDD 电容 C56不会因直流偏置效应而显著降低值。  它应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。  即使在仅~15V 的电压下、较小的情况和较低的电压也会丢失大量电容。  二极管 D51应具有超快的反向恢复。

    此致、

    Ulrich

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    Ulrich - San

    感谢您的建议。

    当它们将5pF (VPC 到器件 GND)添加到器件 GND 时、导通时间会变长。

    他们会根据 您的建议继续修改他们的电路。

    当我们从这些结果中获得其他结果时、我们会向您报告。

    此致、

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    Ulrich - San

    感谢您的支持。

     我们得到了他们修改后的电路的结果。

    >将1000pF 电容从 VSC 添加到器件 GND (Cvsc=C57)。  

    --> Q 立即中断

    >将其移除或降低至100pF、至少用于测试目的。

    -->他们找不到任何变化。

    > 在 R61 (VPC 至器件 GND)上添加一个22pF 电容、以防噪声影响 VPC。  
    -->添加5pF (VPC 到器件 GND)后,他们可能会发现导通时间变长。
         但当加上超过5pF 时、他们发现 FET 未开启。  

    >应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。   
    -->它们使用的是 X7R 50V 1uF。

    >二极管 D51应具有超快的反向恢复

    ⇒他们使用的是 FRD。

    他们会在高电压下继续对此进行评估。

    我们将通过另一封邮件向您发送结果。

    此致、

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    Ulrich - San

    感谢您的支持。

     我们得到了他们修改后的电路的结果。

    >将1000pF 电容从 VSC 添加到器件 GND (Cvsc=C57)。  

    --> Q 立即中断

    >将其移除或降低至100pF、至少用于测试目的。

    -->他们找不到任何变化。

    > 在 R61 (VPC 至器件 GND)上添加一个22pF 电容、以防噪声影响 VPC。  
    -->添加5pF (VPC 到器件 GND)后,他们可能会发现导通时间变长。
         但当加上超过5pF 时、他们发现 FET 未开启。  

    >应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。   
    -->它们使用的是 X7R 50V 1uF。

    >二极管 D51应具有超快的反向恢复

    ⇒他们使用的是 FRD。

    他们会在高电压下继续对此进行评估。

    我们将通过另一封邮件向您发送结果。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    我在另一封邮件中收到了该文件、波形帮助我考虑了 DRV 脉冲缺失的可能性。

    300V 输入时的部分 DRV 输出、负载变化有点小、400V 时无 DRV 的症状让我想到了某种保护响应。

     

    我在数据表的第8.3.4.1节和第8.4.4节中都发现、VPC 输入上大于500ns 的过压情况会阻止该开关周期的 DRV 输出。 如果 Vvpc > 2.6V、则 VPC 上可能会发生 OV。

    我想知道问题是否是 VPC 输入端的过压。 它在300V 时可能是一个边缘条件、但在400V 输入时始终存在。

    请让 您的客户 调查 VPC 上是否存在电压过高的可能性。

     

    此致、

    Ulrich

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    Ulrich - San

    感谢您的支持。

    我们从客户那里得到了一些波形。

    请检查私人消息。

    此致、

    库拉

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    Kura-San、您好!

    我已发送一份回复、其中包含有关波形的注释、也是通过私人消息发送的。

    总之 、根据文件中显示的波形、我怀疑 PCB 连接不遵循原理图。
    文件中显示的原理图 是正确的。
    我建议将 PCB 连接与原理图的连接进行比较、并纠正发现的任何差异。

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich - San

    感谢您的支持。我们从客户那里获得了令人上瘾的信息。

    客户已检查 PCB 连接是否正确。

     在所有工作表中 VPC 与器件 GND 之间的电容值 是正确的

    绕组匝数比:

    NP:17.

    NS:5

    注:2.

    此致、

    库拉