我们的客户 考虑使用具有偏置绕组的高侧 SR 配置的 UCC24636。
请检查随附的文件夹并告知 RVPC、RVSC。
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Kura-San、您好!
感谢您关注 UCC24636 SR 控制器。
根据高侧 SR 配置公式、随附文件中电阻计算的原始值看起来是正确的。
我无法确定为什么器件使用所提供的信息时运行不正常。
对于 IO = 0A 的情况、器件正常运行。 由于开关频率< 5kHz (12.8ms 内< 64个脉冲)、它已进入待机模式。
对于 IO = 1.2A 和3A 的情况、器件未按预期运行。
我想知道实际的客户电路是否将 VPC 和 VSC 引脚连接混合在一起。
您能否提供 SR 电路的客户原理图以及 Rb、CVDD 和 Cvsc 的值(如.xlsx 文件中的图2所示)。
此致、
Ulrich
Kura-San、您好!
从发送的文件中、我看到 VSC 和 VPC 连接正确。 我还看到 VSC 电容器的位置保持开路(值= 0)、尽管原理图中显示了该位置。 我认为 开关噪声可能会耦合到 VSC 输入并加快内部斜坡、从而导致栅极驱动脉冲短路。
我建议您在 VSC 与器件 GND (Cvsc=C57)之间添加一个1000pF 电容。
我还看到、除了实际的 MOSFET 栅极之外、C58是栅极驱动输出上的1000pF 容性负载。 我不知道为什么添加了它、但我建议将其删除或将其减少到100pF、至少用于测试目的。
另一个建议是在 R61上添加一个22pF 电容(VPC 到器件 GND)、以防噪声影响 VPC。 电容过大将延迟 SR 的开通、但这现在不是问题。 可以稍后减少。
主要目标 是首先获得合理的宽且一致的栅极驱动脉冲、然后在稍后调整时序以实现最佳性能。
最后、确保 VDD 电容 C56不会因直流偏置效应而显著降低值。 它应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。 即使在仅~15V 的电压下、较小的情况和较低的电压也会丢失大量电容。 二极管 D51应具有超快的反向恢复。
此致、
Ulrich
Ulrich - San
感谢您的支持。
我们得到了他们修改后的电路的结果。
>将1000pF 电容从 VSC 添加到器件 GND (Cvsc=C57)。
--> Q 立即中断
>将其移除或降低至100pF、至少用于测试目的。
-->他们找不到任何变化。
> 在 R61 (VPC 至器件 GND)上添加一个22pF 电容、以防噪声影响 VPC。
-->添加5pF (VPC 到器件 GND)后,他们可能会发现导通时间变长。
但当加上超过5pF 时、他们发现 FET 未开启。
>应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。
-->它们使用的是 X7R 50V 1uF。
>二极管 D51应具有超快的反向恢复
⇒他们使用的是 FRD。
他们会在高电压下继续对此进行评估。
我们将通过另一封邮件向您发送结果。
此致、
Ulrich - San
感谢您的支持。
我们得到了他们修改后的电路的结果。
>将1000pF 电容从 VSC 添加到器件 GND (Cvsc=C57)。
--> Q 立即中断
>将其移除或降低至100pF、至少用于测试目的。
-->他们找不到任何变化。
> 在 R61 (VPC 至器件 GND)上添加一个22pF 电容、以防噪声影响 VPC。
-->添加5pF (VPC 到器件 GND)后,他们可能会发现导通时间变长。
但当加上超过5pF 时、他们发现 FET 未开启。
>应为 X7R、50V 额定值、采用1206外壳尺寸(公制3216)。
-->它们使用的是 X7R 50V 1uF。
>二极管 D51应具有超快的反向恢复
⇒他们使用的是 FRD。
他们会在高电压下继续对此进行评估。
我们将通过另一封邮件向您发送结果。
此致、
Kura-San、您好!
我在另一封邮件中收到了该文件、波形帮助我考虑了 DRV 脉冲缺失的可能性。
300V 输入时的部分 DRV 输出、负载变化有点小、400V 时无 DRV 的症状让我想到了某种保护响应。
我在数据表的第8.3.4.1节和第8.4.4节中都发现、VPC 输入上大于500ns 的过压情况会阻止该开关周期的 DRV 输出。 如果 Vvpc > 2.6V、则 VPC 上可能会发生 OV。
我想知道问题是否是 VPC 输入端的过压。 它在300V 时可能是一个边缘条件、但在400V 输入时始终存在。
请让 您的客户 调查 VPC 上是否存在电压过高的可能性。
此致、
Ulrich