大家好、团队、
现在、我有一个有关适用于低 VIN 输入应用的 TPS7a53的问题、您能帮您提供完整的解决方案吗？ 谢谢。
应用请求：VIN =~1.4V、 Vout = 1.15V (精确)、Iout <=2.5A、汽车 EE。
芯片：TPS7a53-Q1是一款候选器件
问题：从 d/s 开始、当过孔=0时、压降电压<=320mV @3A。 从下图中可以看出、使用 Vbias 时、余量可能会小得多(如图21所示)。 这对我很有帮助、因为我还考虑使用 Vin = 1.35V 来获得1.15V 输出。 因此、请帮助检查我是否可以在输入电压为1.35V 且偏置电压设置为6.5V 的情况下进行设计？ 如果是、我们是否可以使用电阻分压器(10K + 10K) 生成6V 偏置电压？ 这里建议使用更好的偏置电压吗？
BTW、您能不能帮助您为其附加"已验证的解决方案？ 谢谢。
您好 Junqiang、
在2.5A 或更低的负载电流下、您通常需要225mV 或更少的余量、这是在150C 的最高温度下实现的。
在1.4V 输入和1.15V 输出以及2.5A 最大负载下、LDO 在最坏的情况下会消耗625mW 的功率。
VQFN 封装的热阻为43.4 C/W、可使热增加约27度。 因此、如果环境温度低于100摄氏度、则最大压降仅为175mV、从而为1.4V 输入和1.15V 输出提供更大的裕度。
如果您选择使用单独的 Vbias 电源、我不建议使用使用10k Ω 电阻器的分压器。 偏置轨需要提供一些微不足道的电流来运行内部电路。 数据表列出了典型值为2.4mA 的电流和最大值为3.5mA 的电流、这会导致10k Ω 电阻器上出现明显的压降。 最好使用可提供电压的单独电压轨。 在偏置轨上任何高于 Vout +压降的值都是足够的。
至于起始原理图解决方案、我将从数据表应用部分中的应用原理图开始。
从数据表的第8节中、设置以下值：
Cin = 10uF 或更高(5uF 有效电容)
Cbias = 10uF 或更高(有效电容为5uF)
COUT = 47uF 或更高(22uF 有效电容)。 如数据表中所述、通常建议使用47uF // 10uF // 10uF。
c_nr/ss = 10nF 至1uF
CFF =不需要、但可以为10nF 以提高噪声性能
RPG = 10k 欧姆至100k 欧姆
要在输出端产生1.15V 电压、可以设置 R1 = 12.1k Ω、R2 = 27.4k Ω。
谢谢、
斯蒂芬
