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[参考译文] CSD18543Q3AT MOSFET

Guru**** 1134770 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, CSD16340Q3, CSD16323Q3, CSD16327Q3, CSD17304Q3, CSD17308Q3, CSD17309Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/942356/csd18543q3at-mosfet

主题中讨论的其他器件:CSD18543Q3ACSD16340Q3CSD16323Q3CSD16327Q3CSD17304Q3CSD17308Q3CSD17309Q3

您好!

我们在其中一个设计中使用了该 MOSFET (CSD18543Q3AT)、在数据表中 、栅源阈值电压为1.7V。 我们的控制电路提供2.8V 的栅源电压、但我们注意到、MOSFET 在整个电流范围内的电压损耗为1V、MOSFET 将被加热。 您是否有任何解决方案可在不更改控制电路的情况下限制 MOSFET 上的电压损耗?  

此致  

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    您好 Tareq、

    感谢您关注 TI FET。 CSD18543Q3A 导通电阻的额定 VGS 最小值= 4.5V。 您必须提供 VGS >= 4.5V、否则我们无法保证 FET 的导通电阻。 如数据表第1页的 RDS (on)与 VGS 曲线所示、当 VGS < 4.5V 时、RDS (on)呈指数级增长。 除非您有5V 电压来驱动 FET 的栅极、否则我恐怕无法快速解决问题。 您能否使用最大 VDS 额定值较低的 FET、例如25V 或30V? TI 有一个25V FET、采用相同的3x3 SON 封装 CSD16340Q3、其额定导通电阻为 VGS = 2.5V。 我们有许多25V 和30V FET、其导通电阻的额定电压为 VGS = 3V。 下面提供了一个列表。

    CSD16323Q3
    CSD16327Q3
    CSD17304Q3
    CSD17308Q3
    CSD17309Q3