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我对 TI 设计团队选择的组件感到困惑。 CSD17308Q3的数据表显示 Vgs (最大值)为+10/-8V、EVM 的 ACFET 和 HIDRV 引脚的输出电压超过15V。 是否可以在我们的设计中使用 CSD17308Q3 (Q8、Q5、Q9)? 。 我们看到此组件出现了很多系统故障(尤其是 EVM 的 Q8)。
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我对 TI 设计团队选择的组件感到困惑。 CSD17308Q3的数据表显示 Vgs (最大值)为+10/-8V、EVM 的 ACFET 和 HIDRV 引脚的输出电压超过15V。 是否可以在我们的设计中使用 CSD17308Q3 (Q8、Q5、Q9)? 。 我们看到此组件出现了很多系统故障(尤其是 EVM 的 Q8)。
我不确定 FET 的 Vgs 与输出电压的关系。 Vgs 电压由 REGN 驱动、最大电压规格为6.3V。 请参阅数据表第16页的第7.39节。 您是否了解过您正在使用的交流适配器或 PCB 布局、因为栅极驱动布线的寄生效应不会增加噪声和下降时间、从而导致击穿电流?
"栅极电压(HiDRV)高于 CSD17308Q3 (Q8)的最大额定值、因此可能会导致 MOSFET 故障"我们在分析以下问题后至此点。
最初、我们发现 EVM 中没有充电。
调试硬件后、我们发现是由于 Q8 MOSFET 停止工作、IC 的所有电压(HIDRV、LODRV、ACFET)看起来都不错。 我们浏览了 CSD17308Q3的数据表、其中提到的最大栅极电压为+10V/-8V。
更换 Q8 MOSFET 后、它再次开始工作。
4、几天后,这个周期重复了几次。
在今天的测试中、我们检查了 REGN 输出、 D3的阳极端为6.1V 我们已经了解了交流适配器的一切看起来都正常。
注意: 所有这些都是通过从 TI 商店购买的 BQ40Z60-EVM 实现的。
此致、
Ravikumar G.