This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS63810:Vout>VIN、旁路以实现最低功耗

Guru**** 2507255 points
Other Parts Discussed in Thread: LM66100, TPS63810

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/903635/tps63810-vout-vin-bypassing-for-lowest-power-consumption

器件型号:TPS63810
主题中讨论的其他器件:LM66100

尊敬的 TI 团队:

在电池大部分时间都能提供必要功率的应用中、11uA 最低 IQ 仍将是一个重要的数字。

如果 VIN=EN=0V 并且 Vout、例如3.7V、会发生什么情况? 在 d/s 中、仅针对 PWM 运行提到了反向电流。

如果需要某种理想二极管、可以简单地将 LM66100与 Vout 串联、这样做吗?

如果将其添加到 TPS63810附近、是否需要电容器? 输出电容高(LTE-M 蜂窝调制解调器、约800uF)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chris:

    感谢您的联系。

    如果您禁用器件(EN=0)、输出将处于高阻抗状态、它将悬空。 如果您对输出施加电压、只要施加的电压在建议的工作条件下、就会产生少量的泄漏电流。  μA 未 μA 此泄漏电流的详细特性、但如果在 VOUT 施加3.3V 电压、同时 VIN=EN=0、则室温下的反向泄漏电流通常为0.1 μ A、在整个推荐范围内的最大值为1 μ A。 当 VOUT = 3.7V 时、该值应略高。

    因此、您无需使用二极管来提供反向电流保护。

    此致、
    密耳



  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    棒极了、Milos、谢谢。 我想、该 IC 非常适合我们当时的用例。

    对于我们的高输出电容、如果调制解调器及其电容器位于外部板上、1x 22uF Cin 和1x 22uF 是否正常?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chris:

     μF 的最小输入有效电容为5 μ F。 μF 侧的22 μ F 电容器可能还可以、但请检查您所使用的电容器的电压降额。  

     μF 输出、我们建议将最小13 μ F 的有效低 ESR 电容尽可能靠近 VOUT。 请告诉我、您在3.7V 电压轨下游有什么? 什么类型的电容器(陶瓷/ Elko/钽 电容器)、标称值以及它们的距离?

    此致、
    密耳