This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC24636:直流/直流转换器、反激式、80-160V 输入、120V 输出、1A、 WEBENCH

Guru**** 607075 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24636, UCC28740, TL431
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/903036/ucc24636-dcdc-converter-flyback-80-160v-in-120v-out-1a-webench

器件型号:UCC24636
主题中讨论的其他器件: UCC28740TL431

尊敬的安保员:

我写信给大家、想问一个有关反激式转换器中 UCC24636应用的问题。  
当我将80-160VDC 输入、120V 1A 输出插入 WEBENCH 时、它会为我提供此电路。

基本而言、它是反激式转换器。 变压器匝数比如下:

小学:中学= 15:20,

辅助:辅助= 4:20。

但是、我注意到、它建议在次级侧使用 UCC24636、并使用100V MOSFET M2。

我的问题是  

根据数据表、UCC24636的 VDD 的最大额定电压为30V。 我们可以在这里真正使用它吗?

2、能否在这里使用 MOSFET M2、因为它只有100V = Vds-max ? 我认为它两端的最大电压为 Vout (120V)+绕组电压(164V)。

有人可以对此提供帮助吗?

谢谢、

Jim。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jim、您好!

     

    感谢您关注 UCC24636 SR 控制器(和 UCC28740反激式控制器)。

     

    您是正确的;UCC24636不能直接由120V 电源供电。   100V MOSFET 也不能、也不能使用并联稳压器。 我怀疑 Webench 程序包含一些无法正确适应更高电压输出的限制。 我们必须纠正这种情况。

     

    同时、UCC24636和并联稳压器(可能是 TL431或类似器)可由合适的低电压源局部偏置。 我建议该电源电压大约为10-12 V、以便为 SR FET 提供足够的栅极驱动。 它不需要非常精确、可以为 SR 控制器和并联稳压器提供偏置、并且可以通过多种方式生成。

     

    最简单的方法是使用连接到 Vout 的高压晶体管(400V 额定值、最小值)的线性稳压器。 12V 齐纳二极管可调节 NPN 的基极(最低成本)或 MOSFET 的栅极(最低待机电流)、而发射器或源极连接到 VDD 和 RTL 顶部。 从 Vout 到齐纳二极管的电阻器提供足够的电流来获得12V 电压、但 NPN 在非饱和 β 下也需要一些基极电流。 本地偏置电压将是二极管压降或齐纳电压的 Vgs_th 降。

     

    通过增加另一个2-3匝的次级绕组、可以在更高的复杂性下获得更低的偏置损耗。 二次侧绕组在整流和滤波后会反射~12V 电压、但它不会得到良好调节。 但是、这可能足以用于偏置。 如果您认为有必要并值得额外的复杂性和成本、则3圈可以对其进行后置调节。

     

    对于较低的偏置电压、必须重新计算 RTL 的值。  I Estimate (10V-2V)/((120V-2V)/70K)= 4.7K。

     

    SR MOSFET (最高可达120V + 160V/15*20 = 333V)不需要额定电流为100A。 非常粗略地说、在低压线路上、在~1.6A rms 电平时、1A 的平均输出将具有~4A 峰值。 额定功率小于200mR 的 MOSFET 将提供小于0.5W 的损耗。 RDS (ON)值越低、损耗当然也越低、但过低会导致收益递减以及以过高成本产生过多的偏置功率损耗。

     

    注意:如果 PCB 布局电感导致一些导通/关断振荡、我还建议插入一个与主 FET (M1)栅极串联的阻尼电阻器。  可以添加一个0-R 占位符、并根据需要选择合适的值(通常为2-10R)。

     

    此致、

    Ulrich